| 1 前言 | 第1-15页 |
| 1．1 研究背景 | 第8-12页 |
| 1．2 课题来源 | 第12页 |
| 1．3 课题的研究内容和技术要点 | 第12-13页 |
| 1．4 论文的内容安排 | 第13-15页 |
| 2 门阵列总剂量效应（TID）和单粒子闩锁效应（SEL）的加固设计 | 第15-34页 |
| 2．1 TID效应和SEL效应 | 第15-16页 |
| 2．2 门阵列基本单元的加固设计 | 第16-25页 |
| 2．3 宏单元的设计 | 第25-27页 |
| 2．4 I／O端口的设计 | 第27-29页 |
| 2．5 总剂量效应的SPICE模拟 | 第29-34页 |
| 2．5．1 辐射效应模拟分析的基本方法和内容 | 第30页 |
| 2．5．2 总剂量效应的模型化 | 第30-34页 |
| 3 SRAM的SEU加固设计 | 第34-46页 |
| 3．1 单粒子翻转效应（SEU） | 第34-36页 |
| 3．2 SEU的电路加固设计 | 第36-46页 |
| 3．2．1 单粒子翻转效应（SEU）的敏感结点 | 第36-39页 |
| 3．2．2 SRAM的抗单粒子翻转设计原理 | 第39-41页 |
| 3．2．3 加固设计的双互锁存储单元（DICE） | 第41-46页 |
| 4 样片的设计及测试结果 | 第46-58页 |
| 4．1 脉冲产生器芯片的设计 | 第46-51页 |
| 4．2 测试结果 | 第51-58页 |
| 5 结论 | 第58-60页 |
| 附录 | 第60-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |