| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·课题的背景与意义 | 第12-14页 |
| ·半导体照明技术概况 | 第14-16页 |
| ·国外半导体照明技术概况 | 第14-15页 |
| ·国内半导体照明技术概况 | 第15-16页 |
| ·LED生产工艺流程及设备概述 | 第16页 |
| ·GaN MOCVD设备概述 | 第16-21页 |
| ·国外GaN MOCVD设备的概述 | 第17-18页 |
| ·国内GaN MOCVD设备现状 | 第18-19页 |
| ·GaN MOCVD设备的工艺特点 | 第19-21页 |
| ·GaN MOCVD设备控制系统概况 | 第21-24页 |
| ·GaN MOCVD设备的控制对象简介 | 第21页 |
| ·国内外GaN MOCVD设备控制系统概况 | 第21-23页 |
| ·自主研发GaN MOCVD控制系统存在的主要问题 | 第23-24页 |
| ·本文的研究内容和结构 | 第24-25页 |
| ·主要研究内容 | 第24页 |
| ·本文组织结构 | 第24-25页 |
| 第二章 GaN MOCVD工艺分析与基本控制方案 | 第25-37页 |
| ·MOCVD工艺流程及控制需求 | 第25-27页 |
| ·MOCVD反应原理简介 | 第25-26页 |
| ·MOCVD设备及控制需求 | 第26-27页 |
| ·MOCVD基本控制方案 | 第27-36页 |
| ·MOCVD总体控制方案 | 第27页 |
| ·MO源精确输运控制方案 | 第27-31页 |
| ·气体无扰动切换工作原理与控制方案 | 第31-34页 |
| ·闭环压力自动控制原理与设计方案 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 GaN-MOCVD系统温度控制研究 | 第37-61页 |
| ·反应器工作原理与基本温控方案 | 第37-39页 |
| ·反应器基本结构与工作原理 | 第37-39页 |
| ·基本温控方案 | 第39页 |
| ·表面温度校正与加热功率分配 | 第39-41页 |
| ·温控对象建模研究 | 第41-45页 |
| ·温度控制系统分析 | 第41-43页 |
| ·温度控制对象模型辨识 | 第43-45页 |
| ·基于PID的GaN-MOCVD温度控制 | 第45-48页 |
| ·基于PID的MOCVD温度控制方法 | 第45-47页 |
| ·常规PID控制方法的局限和改进方向 | 第47-48页 |
| ·基于模糊PID的GaN-MOCVD温度控制 | 第48-56页 |
| ·模糊PID控制方法基本原理 | 第48页 |
| ·控制器参数模糊化 | 第48-49页 |
| ·模糊控制规则的建立 | 第49-52页 |
| ·模糊推理与控制量解模糊 | 第52-56页 |
| ·GaN-MOCVD温控效果分析 | 第56-60页 |
| ·温控系统仿真结果分析 | 第56-58页 |
| ·GaN-MOCVD温控系统实测效果 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 GaN MOCVD控制系统的开发与应用 | 第61-75页 |
| ·GaN MOCVD控制系统硬件设计 | 第61-67页 |
| ·控制系统的硬件构成 | 第61-62页 |
| ·上位机硬件配置选型 | 第62-63页 |
| ·PLC控制器 | 第63-64页 |
| ·输入输出硬件配置 | 第64-66页 |
| ·以太网通讯硬件配置 | 第66-67页 |
| ·串行通讯硬件配置 | 第67页 |
| ·GaN MOCVD控制系统软件开发 | 第67-71页 |
| ·GaN MOCVD控制系统软件的功能 | 第67-68页 |
| ·上位机软件系统的开发平台 | 第68-69页 |
| ·上位机自动控制系统软件设计 | 第69-71页 |
| ·GaN MOCVD控制系统的应用效果 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结束语 | 第75-77页 |
| ·完成的主要工作 | 第75页 |
| ·进一步的工作 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第81页 |