| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-36页 |
| ·微电子机械系统(MEMS) | 第12页 |
| ·微细加工技术 | 第12-18页 |
| ·硅微加工技术 | 第13-14页 |
| ·LIGA技术和UV-LIGA技术 | 第14-16页 |
| ·微细加工技术中的多学科性 | 第16-18页 |
| ·光刻技术 | 第18-23页 |
| ·光刻胶技术 | 第18-19页 |
| ·光刻工艺的分类 | 第19-23页 |
| ·掩模及其加工 | 第23页 |
| ·光刻仿真技术的发展及其研究意义 | 第23-27页 |
| ·投影式光刻仿真 | 第24-25页 |
| ·接触/接近式及深度光刻仿真 | 第25-26页 |
| ·光刻仿真的研究意义 | 第26-27页 |
| ·本文的主要工作 | 第27-29页 |
| 本章参考文献 | 第29-36页 |
| 第2章 接近式光刻模拟理论 | 第36-63页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·接近式曝光模拟理论 | 第37-53页 |
| ·纯光学曝光模拟理论 | 第38-51页 |
| ·光化学曝光模拟理论 | 第51-53页 |
| ·后烘模拟理论 | 第53-54页 |
| ·化学放大胶 | 第53页 |
| ·后烘反应动力学模型 | 第53-54页 |
| ·显影速率模型 | 第54-57页 |
| 本章参考文献 | 第57-63页 |
| 第3章 SU-8接近式深度光刻曝光理论模型的建立与计算 | 第63-89页 |
| ·基于模拟退火算法的接近式光刻掩模的光学临近效应矫正 | 第63-70页 |
| ·模拟退火算法简介 | 第63-65页 |
| ·掩模平面光场波前对场点的有效影响范围 | 第65-66页 |
| ·在有效影响范围下对二元灰阶编码掩模的模拟退火算法矫正 | 第66-70页 |
| ·基于Dill模型建立SU-8接近式深度曝光理论模型 | 第70-82页 |
| ·经典Dill曝光模型 | 第70-73页 |
| ·对Dill模型在深度轴上进行扩展 | 第73-78页 |
| ·对Dill模型在时间轴上进行扩展 | 第78-82页 |
| ·改进深度曝光模型及其计算结果分析 | 第82-86页 |
| ·时间轴和深度轴模型间的联系 | 第82-84页 |
| ·完整深度曝光模型的计算结果及其分析 | 第84-86页 |
| ·本章总结 | 第86-87页 |
| 本章参考文献 | 第87-89页 |
| 第4章 SU-8接近式深度光刻后烘理论模型的建立与计算 | 第89-107页 |
| ·SU-8胶后烘反应过程 | 第89-90页 |
| ·Ferguson后烘反应动力学模型 | 第90-91页 |
| ·后烘反应-扩散模型 | 第91-100页 |
| ·菲克扩散模型 | 第92-94页 |
| ·第二类扩散模型 | 第94-100页 |
| ·对后烘扩散建模的一些展望 | 第100-102页 |
| ·本章总结 | 第102-103页 |
| 本章参考文献 | 第103-107页 |
| 第5章 总结与展望 | 第107-113页 |
| ·本文的主要工作 | 第107-108页 |
| ·本文的创新之处 | 第108-109页 |
| ·不足之处 | 第109-110页 |
| ·深度光刻误差矫正方法可行性展望 | 第110-112页 |
| 本章参考文献 | 第112-113页 |
| 附录:发表论文情况 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
