摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-18页 |
1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
1.2 国内外研究现状 | 第11-16页 |
1.2.1 IGBT器件热可靠性研究现状 | 第11-13页 |
1.2.2 IGBT器件建模的研究现状 | 第13-16页 |
1.3 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
第2章 IGBT的结构特性及建模原理 | 第18-32页 |
2.1 IGBT简介 | 第18-23页 |
2.1.1 IGBT的结构和工作原理 | 第18-19页 |
2.1.2 IGBT的基本特性 | 第19-22页 |
2.1.3 IGBT的擎住效应和安全工作区 | 第22-23页 |
2.2 ANSYS简介 | 第23-26页 |
2.2.1 ANSYS热分析 | 第24-26页 |
2.2.2 ANSYS分析求解过程 | 第26页 |
2.3 PSPICE简介 | 第26-31页 |
2.3.1 PSpice的基本组成 | 第27-28页 |
2.3.2 PSpice的元器件模型 | 第28-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第3章 焊料层空洞对IGBT芯片温度的影响 | 第32-42页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 IGBT有限元模型及相关参数 | 第32-34页 |
3.3 计算结果分析与讨论 | 第34-40页 |
3.3.1 焊层无空洞时IGBT模块的温度分布 | 第34页 |
3.3.2 芯片焊层空洞和衬板焊层空洞对芯片温度的影响 | 第34-35页 |
3.3.3 非贯穿型焊层空洞对芯片最高温度的影响 | 第35-36页 |
3.3.4 单个焊层空洞对芯片最高温度的影响 | 第36-38页 |
3.3.5 多个焊层空洞对芯片最高温度的影响 | 第38-39页 |
3.3.6 焊层缝隙对芯片最高温度的影响 | 第39-40页 |
3.4 本章小结 | 第40-42页 |
第4章 IGBT的电路模型及仿真分析 | 第42-55页 |
4.1 引言 | 第42页 |
4.2 IGBT的静态模型 | 第42-51页 |
4.2.1 建立IGBT的静态模型 | 第42-43页 |
4.2.2 IGBT模型参数配置及参数灵敏度分析 | 第43-48页 |
4.2.3 IGBT静态模型的仿真结果与验证分析 | 第48-51页 |
4.3 IGBT的动态模型 | 第51-54页 |
4.3.1 建立IGBT的动态模型 | 第51-52页 |
4.3.2 IGBT动态模型的仿真结果与验证分析 | 第52-54页 |
4.4 本章小结 | 第54-55页 |
第5章 结论与展望 | 第55-57页 |
5.1 结论 | 第55页 |
5.2 展望 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第61-62页 |
致谢 | 第62页 |