六方氮化硼/石墨烯异质薄膜的可控制备研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 石墨烯简介 | 第13-16页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构与性能 | 第13-14页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备 | 第14-16页 |
| 1.3 六方氮化硼简介 | 第16-20页 |
| 1.3.1 h-BN的结构与性质 | 第16-18页 |
| 1.3.2 h-BN的制备 | 第18-20页 |
| 1.4 二维层状材料异质结的简介 | 第20-26页 |
| 1.4.1 h-BN/石墨烯异质结 | 第21-23页 |
| 1.4.2 h-BN/石墨烯异质结的制备 | 第23-26页 |
| 1.5 论文的构架 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-40页 |
| 第二章 生长和表征设备 | 第40-51页 |
| 2.1 生长系统 | 第40-42页 |
| 2.2 表征设备 | 第42-49页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第42-43页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第43-44页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第44-45页 |
| 2.2.4 共聚焦拉曼光谱仪 | 第45-46页 |
| 2.2.5 俄歇电子能谱 | 第46-48页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 h-BN/石墨烯异质结的可控制备 | 第51-77页 |
| 3.1 石墨烯的可控制备 | 第51-57页 |
| 3.1.1 铂衬底石墨烯的生长原理 | 第52-56页 |
| 3.1.2 鼓泡转移法 | 第56-57页 |
| 3.2 h-BN的可控制备 | 第57-60页 |
| 3.3 h-BN/石墨烯异质结的可控制备 | 第60-70页 |
| 3.3.1 h-BN/石墨烯异质结的生长原理 | 第60-62页 |
| 3.3.2 h-BN/石墨烯异质结的表征 | 第62-65页 |
| 3.3.3 不同层厚h-BN/石墨烯异质结的制备 | 第65-67页 |
| 3.3.4 h-BN/石墨烯异质结的电学性能研究 | 第67-70页 |
| 3.4 总结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 第四章 非金属基底石墨烯晶界的表征 | 第77-92页 |
| 4.1 铜基底的石墨烯可控 | 第77-81页 |
| 4.2 非金属基底石墨烯晶界的表征 | 第81-88页 |
| 4.2.1 拉曼表征热处理CVD石墨烯的边界 | 第82-84页 |
| 4.2.2 拉曼表征热处理CVD石墨烯的晶界 | 第84-88页 |
| 4.3 总结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第五章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 附录 硕士期间发表的论文 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
