压接式IGBT多物理场模型与封装压力均衡研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.2 压接式IGBT研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第16-19页 |
| 2 理论基础 | 第19-29页 |
| 2.1 IGBT工作原理 | 第19-21页 |
| 2.2 压接式IGBT封装结构 | 第21-23页 |
| 2.3 接触电阻和接触热阻理论 | 第23-26页 |
| 2.4 热阻测量原理 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 压接式IGBT力-电-热场耦合仿真及分析 | 第29-39页 |
| 3.1 有限元分析法 | 第29-30页 |
| 3.2 压接式IGBT模型 | 第30-32页 |
| 3.3 压力均衡仿真 | 第32-34页 |
| 3.4 温度分布仿真 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 4 压接式IGBT封装压力的实验研究 | 第39-48页 |
| 4.1 压接式IGBT封装工艺 | 第39-41页 |
| 4.2 压力大小对“结-壳”热阻影响的实验研究 | 第41-43页 |
| 4.3 平整度对“结-壳”热阻影响的实验研究 | 第43-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 5 结论和展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 附录1 攻读硕士期间的研究成果 | 第57页 |