首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文--晶体管:按性能分论文

压接式IGBT多物理场模型与封装压力均衡研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-19页
    1.1 引言第9-12页
    1.2 压接式IGBT研究现状第12-16页
    1.3 本文研究内容第16-19页
2 理论基础第19-29页
    2.1 IGBT工作原理第19-21页
    2.2 压接式IGBT封装结构第21-23页
    2.3 接触电阻和接触热阻理论第23-26页
    2.4 热阻测量原理第26-28页
    2.5 本章小结第28-29页
3 压接式IGBT力-电-热场耦合仿真及分析第29-39页
    3.1 有限元分析法第29-30页
    3.2 压接式IGBT模型第30-32页
    3.3 压力均衡仿真第32-34页
    3.4 温度分布仿真第34-37页
    3.5 本章小结第37-39页
4 压接式IGBT封装压力的实验研究第39-48页
    4.1 压接式IGBT封装工艺第39-41页
    4.2 压力大小对“结-壳”热阻影响的实验研究第41-43页
    4.3 平整度对“结-壳”热阻影响的实验研究第43-46页
    4.4 本章小结第46-48页
5 结论和展望第48-50页
致谢第50-52页
参考文献第52-57页
附录1 攻读硕士期间的研究成果第57页

论文共57页,点击 下载论文
上一篇:2-1 MASH架构Sigma-delta调制器的设计
下一篇:激光切割速度规划算法研究