| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 二维材料的基本物理性质 | 第13-17页 |
| 1.2 二维材料电子器件的应用 | 第17-21页 |
| 1.2.1 电子逻辑器件 | 第18页 |
| 1.2.2 光电器件 | 第18-20页 |
| 1.2.3 热电器件 | 第20-21页 |
| 1.3 二维材料的量子霍尔效应 | 第21-23页 |
| 1.4 二维材料的超导相变 | 第23-27页 |
| 1.4.1 Ising超导现象 | 第24页 |
| 1.4.2 二维超导和电荷密度波的竞争 | 第24-25页 |
| 1.4.3 二维超导体中的量子金属态 | 第25-26页 |
| 1.4.4 双层graphene的超导 | 第26-27页 |
| 1.5 二维材料的自旋调控 | 第27-28页 |
| 1.6 二维铁磁材料的巨磁阻效应 | 第28-32页 |
| 第二章 微纳器件的制备与电学测试 | 第32-45页 |
| 2.1 微纳器件的制备 | 第32-37页 |
| 2.1.1 二维材料的剥离 | 第32-33页 |
| 2.1.2 二维材料的表征 | 第33页 |
| 2.1.3 异质结的制备 | 第33-35页 |
| 2.1.4 器件电极的制备 | 第35-37页 |
| 2.2 低温电学测试系统的简介 | 第37-45页 |
| 2.2.1 低温强磁场系统 | 第37-38页 |
| 2.2.2 电学信号的测试 | 第38-45页 |
| 第三章 Graphene的拉曼测试 | 第45-56页 |
| 3.1 拉曼光谱的原理 | 第45页 |
| 3.2 Graphene的基本拉曼性质 | 第45-47页 |
| 3.3 双层graphene的2D模式在高能量下的变化 | 第47-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 高载流子浓度下1T-SnSe_2的二维超导 | 第56-76页 |
| 4.1 二维超导的简介 | 第56-58页 |
| 4.2 离子液体对载流子的调节 | 第58-59页 |
| 4.3 离子液体对1T-SnSe_2调控的初步表征 | 第59-62页 |
| 4.4 SnSe2基本物性和超导测试 | 第62-66页 |
| 4.5 二维超导的确定 | 第66-69页 |
| 4.6 磁场诱导的低温量子金属态 | 第69-71页 |
| 4.7 超越泡利顺磁极限 | 第71-72页 |
| 4.8 电场调控的自旋-轨道耦合强度 | 第72-74页 |
| 4.9 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 InSe低温电学输运的研究 | 第76-87页 |
| 5.1 低温量子相干效应的简介 | 第76-77页 |
| 5.2 InSe器件的制备与电学的初步测试 | 第77-80页 |
| 5.3 InSe磁阻的测试与分析 | 第80-82页 |
| 5.4 低温下的电子散射机制分析 | 第82-85页 |
| 5.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 基于InSe的热电输运研究 | 第87-103页 |
| 6.1 热电效应简介 | 第87-89页 |
| 6.2 InSe的基本电子结构及热电性质 | 第89-91页 |
| 6.3 微纳器件的Seebeck系数测试方法 | 第91-93页 |
| 6.4 InSe的场效应测试 | 第93页 |
| 6.5 InSe的Seebeck系数分析 | 第93-96页 |
| 6.5.1 对比实验值和Mott公式之间的关系 | 第94-95页 |
| 6.5.2 第一性原理计算和玻尔兹曼理论的分析 | 第95-96页 |
| 6.6 厚度依赖的热电性能 | 第96-97页 |
| 6.7 薄层和厚层InSe的电子性质 | 第97-99页 |
| 6.8 实验结果的讨论 | 第99-101页 |
| 6.9 本章小结 | 第101-102页 |
| 6.10 本章附录-玻尔兹曼传输方程 | 第102-103页 |
| 第七章 总结与展望 | 第103-106页 |
| 7.1 总结 | 第103-105页 |
| 7.2 展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-136页 |
| 科研成果 | 第136-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
