硅基微结构SnO2气体传感器结构改进研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·甲醛的危害 | 第9-10页 |
| ·甲醛的检测 | 第10-11页 |
| ·半导体气体传感器 | 第11-14页 |
| ·本文主要工作 | 第14-17页 |
| 2 硅杯设计与制作 | 第17-26页 |
| ·硅杯光刻掩模板设计 | 第17页 |
| ·干法腐蚀和湿法腐蚀 | 第17-25页 |
| ·湿法腐蚀二氧化硅和硅 | 第18-22页 |
| ·干法刻蚀二氧化硅和硅 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 传感器电极的设计、仿真及制作 | 第26-38页 |
| ·电极设计 | 第26-27页 |
| ·传感器电极ANSYS仿真 | 第27-30页 |
| ·ANSYS介绍 | 第27-28页 |
| ·ANSYS分析步骤 | 第28-30页 |
| ·电极间隔离层的制备 | 第30-37页 |
| ·LPD法制备SiO_2薄膜 | 第31-33页 |
| ·PECVD法制备SiO_2薄膜及结果表征 | 第33-36页 |
| ·PECVD法制备Si_3N_4薄膜及结果表征 | 第36页 |
| ·溅射法制备隔离层 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 SnO_2敏感薄膜制备与腐蚀 | 第38-49页 |
| ·SnO_2敏感薄膜制备 | 第38-39页 |
| ·SnO_2薄膜表征 | 第39-42页 |
| ·薄膜截面 | 第39-40页 |
| ·薄膜厚度 | 第40-41页 |
| ·薄膜表面 | 第41-42页 |
| ·SnO_2薄膜XRD测试 | 第42页 |
| ·SnO_2薄膜腐蚀 | 第42-47页 |
| ·SnO_2腐蚀窗口掩模板设计 | 第43页 |
| ·SnO_2腐蚀方法研究 | 第43页 |
| ·浓硫酸腐蚀SnO_2薄膜 | 第43-45页 |
| ·HF和HCl腐蚀SnO_2薄膜 | 第45-46页 |
| ·HF+HCl+金属Ti混合腐蚀SnO_2薄膜 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 5 传感器的制备及其测试结果分析 | 第49-64页 |
| ·气敏元件制备 | 第49-55页 |
| ·气敏元件结构 | 第49-50页 |
| ·传感器制作流程 | 第50-55页 |
| ·传感器气敏特性研究 | 第55-62页 |
| ·传感器测试系统 | 第55-57页 |
| ·加热电压与工作温度关系 | 第57-58页 |
| ·工作温度与响应灵敏度关系 | 第58-59页 |
| ·气敏元件响应与甲醛浓度关系 | 第59页 |
| ·气体传感器的响应及恢复特性 | 第59-60页 |
| ·气体传感器的选择性 | 第60-61页 |
| ·传感器敏感机理分析 | 第61-62页 |
| ·传感器功耗研究 | 第62页 |
| ·影响传感器功耗的因素 | 第62页 |
| ·改进后传感器的功耗 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
