P型掺杂晶体硅的低温液相外延生长研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 引言 | 第10-22页 |
| 1.1 晶硅光伏技术发展与现状 | 第10-11页 |
| 1.2 n型晶体硅电池及p型掺杂技术 | 第11-16页 |
| 1.3 p型掺杂晶体硅低温液相外延技术 | 第16-21页 |
| 1.3.1 晶体硅低温液相外延的理论基础 | 第16-17页 |
| 1.3.2 晶体硅低温液相外延生长方法 | 第17-19页 |
| 1.3.3 已有p型掺杂晶体硅低温液相外延研究 | 第19-21页 |
| 1.4 本文研究目的与内容 | 第21-22页 |
| 2 实验方法 | 第22-31页 |
| 2.1 实验材料与试样 | 第22页 |
| 2.2 实验装置 | 第22-23页 |
| 2.3 实验方案 | 第23-27页 |
| 2.3.1 实验气氛 | 第23-24页 |
| 2.3.2 实验温度 | 第24-26页 |
| 2.3.3 实验参数 | 第26-27页 |
| 2.4 实验过程 | 第27-28页 |
| 2.5 分析检测方法 | 第28-31页 |
| 3 结果与讨论 | 第31-62页 |
| 3.1 衬底表面状态对晶体硅外延生长形貌的影响 | 第31-39页 |
| 3.1.1 （001）外延生长形貌与结构特征 | 第31-36页 |
| 3.1.2 衬底表面抛光处理对晶体硅外延的影响 | 第36-37页 |
| 3.1.3 衬底表面线痕对晶体硅外延的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.4 表面活性剂对晶体硅外延的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 恒温外延生长 | 第39-47页 |
| 3.2.1 生长时间对晶体硅外延的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.2 熔体成分对晶体硅外延的影响 | 第42-44页 |
| 3.2.3 过冷度对晶体硅外延的影响 | 第44-46页 |
| 3.2.4 衬底初始温度对晶体硅外延的影响 | 第46-47页 |
| 3.3 连续降温生长 | 第47-54页 |
| 3.3.1 硅衬底回熔处理 | 第47-48页 |
| 3.3.2 降温幅度对晶体硅外延的影响 | 第48-51页 |
| 3.3.3 降温速率对晶体硅外延的影响 | 第51-54页 |
| 3.4 所得pn结开路电压及其影响因素分析 | 第54-62页 |
| 3.4.1 测量结果 | 第55-58页 |
| 3.4.2 计算模拟分析 | 第58-62页 |
| 4 总结 | 第62-64页 |
| 4.1 研究结论 | 第62-63页 |
| 4.2 本研究创新之处 | 第63页 |
| 4.3 未来工作建议 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第69页 |
