| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 金刚石及金刚石薄膜材料 | 第11-17页 |
| 1.1.1 金刚石的晶体结构和形态 | 第11-12页 |
| 1.1.2 金刚石的优异性能及应用 | 第12-16页 |
| 1.1.3 金刚石薄膜 | 第16-17页 |
| 1.2 CVD金刚石的生长机制 | 第17-19页 |
| 1.3 CVD金刚石的制备 | 第19-23页 |
| 1.3.1 热丝CVD法 | 第19-20页 |
| 1.3.2 火焰燃烧法 | 第20-21页 |
| 1.3.3 微波等离子体CVD法 | 第21-23页 |
| 1.4 CVD金刚石的研究现状 | 第23-24页 |
| 1.5 选题的目的及主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 实验设备与表征手段 | 第26-35页 |
| 2.1 MPCVD设备及其特点 | 第26-28页 |
| 2.2 MPCVD设备的结构 | 第28-30页 |
| 2.3 本实验MPCVD设备简介及工作原理 | 第30-32页 |
| 2.3.1 MPCVD设备简介 | 第30-31页 |
| 2.3.2 MPCVD设备的工作原理 | 第31-32页 |
| 2.4 金刚石薄膜的表征 | 第32-35页 |
| 2.4.1 光学金相显微镜 | 第32-33页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第33页 |
| 2.4.3 激光拉曼光谱 | 第33-34页 |
| 2.4.4 X射线衍射法 | 第34页 |
| 2.4.5 线性扫描伏安法 | 第34-35页 |
| 第3章 低浓度氮气对金刚石薄膜的影响 | 第35-46页 |
| 3.1 影响形核的主要因素 | 第35-37页 |
| 3.1.1 基片预处理 | 第35-37页 |
| 3.1.2 基片温度 | 第37页 |
| 3.2 低浓度N_2对金刚石薄膜的影响 | 第37-44页 |
| 3.2.1 低浓度N_2对金刚石薄膜表面形貌的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.2 低浓度N_2对金刚石薄膜质量的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.3 低浓度N_2对金刚石薄膜晶面取向的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 高浓度氮气对金刚石薄膜的影响 | 第46-55页 |
| 4.1 高浓度N_2对金刚石薄膜的影响 | 第46-53页 |
| 4.1.1 高浓度N_2对金刚石薄膜表面形貌的影响 | 第47-49页 |
| 4.1.2 高浓度N_2对金刚石薄膜质量的影响 | 第49-50页 |
| 4.1.3 高浓度N_2对金刚石薄膜晶面取向的影响 | 第50-51页 |
| 4.1.4 高浓度N_2对金刚石薄膜阻抗的影响 | 第51-53页 |
| 4.2 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 全文总结与展望 | 第55-58页 |
| 5.1 全文总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
