| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 本文研究的背景及意义 | 第9-13页 |
| 1.1.1 GaN基材料的特性及应用 | 第9-11页 |
| 1.1.2 GaN基HEMT器件的优势及应用 | 第11-13页 |
| 1.2 AlGaN/GaNHEMT器件的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.2.1 AlGaN/GaNHEMT器件的国内外研究现状 | 第13页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaNHEMT器件的欧姆接触研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 AlGaN/GaNHEMT器件欧姆接触的存在问题 | 第14-16页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 AlGaN/GaNHEMT器件物理及欧姆接触理论 | 第18-30页 |
| 2.1 AlGaN/GaNHEMT器件原理及其工艺 | 第18-24页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结的能带理论及极化效应 | 第18-20页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaNHEMT器件结构及原理 | 第20-21页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaNHEMT器件的关键工艺 | 第21-24页 |
| 2.2 欧姆接触基本理论及测试方法 | 第24-29页 |
| 2.2.1 欧姆接触的电流输运理论及能带理论 | 第24-26页 |
| 2.2.2 传输线模型 | 第26-27页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaNHEMT的欧姆接触设计 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaNHEMT无金欧姆接触研究 | 第30-43页 |
| 3.1 TLM测试结构的制备 | 第30-32页 |
| 3.2 退火条件对无金欧姆接触的影响 | 第32-34页 |
| 3.3 欧姆前刻槽对低温退火无金欧姆接触的影响 | 第34-37页 |
| 3.4 有金欧姆接触与无金欧姆接触对比 | 第37-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 AlGaN/GaNHEMT器件性能研究 | 第43-49页 |
| 4.1 AlGaN/GaNHEMT器件的制备 | 第43-44页 |
| 4.2 器件测试结果及特性分析 | 第44-48页 |
| 4.2.1 AlGaN/GaNHEMT器件的关键性能参数 | 第44-46页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaNHEMT器件的电学特性分析 | 第46-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 总结与展望 | 第49-51页 |
| 全文总结 | 第49-50页 |
| 后续工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附件 | 第65页 |
