| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究对象、背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 SOI MOSFET器件发展历程 | 第11-12页 |
| 1.3 SOI MOSFET器件研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 研究目的、方法与内容 | 第14-17页 |
| 第2章 LP SOI MOSFET器件的设计 | 第17-24页 |
| 2.1 LP SOI MOSFET器件设计基本思想 | 第17页 |
| 2.2 LP SOI MOSFET器件结构设计 | 第17-18页 |
| 2.3 LP SOI MOSFET器件工艺设计 | 第18-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 LP SOI MOSFET器件Kink效应的研究 | 第24-51页 |
| 3.1 SOI MOSFET器件Kink效应基本理论 | 第24-26页 |
| 3.2 2μm LP SOI MOSFET器件Kink效应研究 | 第26-37页 |
| 3.2.1 器件Kink效应的仿真 | 第26-29页 |
| 3.2.2 体接触位置对Kink效应的影响 | 第29-33页 |
| 3.2.3 体接触开口尺寸对Kink效应的影响 | 第33页 |
| 3.2.4 源/漏极位置对Kink效应的影响 | 第33-37页 |
| 3.3 200nm LP SOI MOSFET器件Kink效应研究 | 第37-42页 |
| 3.3.1 器件Kink效应的仿真 | 第37-38页 |
| 3.3.2 体接触位置对Kink效应的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.3 体接触开口尺寸对Kink效应的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.4 源/漏极位置对Kink效应的影响 | 第42页 |
| 3.4 40nm LP SOI MOSFET器件Kink效应研究 | 第42-48页 |
| 3.4.1 器件Kink效应的仿真 | 第43-44页 |
| 3.4.2 体接触位置对Kink效应的影响 | 第44-46页 |
| 3.4.3 体接触开口尺寸对Kink效应的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.4 源/漏极位置对Kink效应的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 LP SOI MOSFET器件与DSOI MOSFET器件Kink效应比较 | 第48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-51页 |
| 第4章 基于浮体效应的LP SOI MOSFET器件可靠性分析 | 第51-61页 |
| 4.1 LP SOI MOSFET器件自加热效应分析 | 第51-55页 |
| 4.1.1 自加热效应基本理论 | 第51-52页 |
| 4.1.2 器件自加热效应分析 | 第52-55页 |
| 4.2 LP SOI MOSFET器件ESD瞬时损伤效应分析 | 第55-57页 |
| 4.2.1 ESD瞬时损伤效应基本理论 | 第55-56页 |
| 4.2.2 ESD瞬时损伤效应分析 | 第56-57页 |
| 4.3 2μmLP SOI MOSFET与DSOI MOSFET载流子退化效应分析 | 第57-60页 |
| 4.3.1 热载流子退化效应基本理论 | 第57-58页 |
| 4.3.2 热载流子退化效应分析 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
