首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--红外技术及仪器论文

InAs/InAsSbⅡ类超晶格红外探测材料的理论设计

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 红外探测材料概述第9-20页
    1.1 红外辐射第9-12页
    1.2 红外探测技术的应用第12-13页
        1.2.1 军事方面第12页
        1.2.2 民用方面第12-13页
        1.2.3 空间科学第13页
    1.3 红外探测材料的主要分类第13-16页
        1.3.1 光热型红外探测材料第13-14页
        1.3.2 光子型红外探测材料第14-16页
    1.4 Sb基type Ⅱ超晶格红外探测材料第16-18页
    1.5 论文研究的目的和内容安排第18-20页
第二章 理论方法第20-32页
    2.1 方法简介第20页
    2.2 价力场方法弛豫给定位形的原子坐标第20-23页
    2.3 经验赝势模型第23-29页
        2.3.1 赝势第23-26页
        2.3.2 经验赝势第26-29页
    2.4 折叠谱方法求解体系的单粒子Schrodinger方程第29-30页
    2.5 计算偶极矩阵元和近带边吸收光谱第30页
    2.6 本章小结第30-32页
第三章 合金与应变第32-39页
    3.1 二元系统第32-33页
    3.2 InAsSb三元系统第33-35页
    3.3 应变的影响第35-38页
    3.4 本章小结第38-39页
第四章 合金层组分对超晶格带边能级的影响第39-50页
    4.1 实验推荐结构的模拟第39-41页
    4.2 173 (?)InAs/72 (?)InAs_(0.72)Sb_(0.28) Ⅱ类超晶格的优越性第41-44页
    4.3 合金组分对超晶格能级的影响第44-46页
    4.4 合金组分对超晶格吸收光谱的影响第46-49页
    4.5 本章小结第49-50页
第五章 合金层厚度对超晶格带边能级的影响第50-57页
    5.1 超晶格层厚对能级和吸收光谱的影响第50-53页
    5.2 量子限制效应对电子态能级的影响第53-54页
    5.3 量子限制效应对空穴态能级的影响第54-56页
    5.4 本章小结第56-57页
第六章 固定波段的超晶格第57-59页
    6.1 InAs/InAs_(1-x)Sb_x超晶格红外探测器的设计第57-58页
    6.2 本章小结第58-59页
第七章 总结第59-60页
参考文献第60-68页
致谢第68-69页
攻读硕士期间发表的论文第69页

论文共69页,点击 下载论文
上一篇:二维SnO及Cu掺杂SnO半导体场效应晶体管的制备与特性研究
下一篇:脉冲激光沉积制备铌金属超导薄膜的研究