| 摘要 | 第8-13页 |
| ABSTRACT | 第13-18页 |
| 符号表 | 第19-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-31页 |
| §1-1 GaN基材料研究进展及意义 | 第21-23页 |
| §1-2 AlGaN/GaN HEMsT器件研究进展 | 第23-25页 |
| 1-2-1 耗尽型AlGaN/GaN HFETs器件研究进展 | 第23-24页 |
| 1-2-2 增强型AlGaN/GaN HFETs器件研究进展 | 第24-25页 |
| §1-3 实现增强型AlGaN/GaN HFETs几种方法及其发展 | 第25-29页 |
| §1-4 本论文的研究内容与安排 | 第29-31页 |
| 第二章 凹槽栅AlGaN/GaN HFETs器件的制备、测试和工作原理 | 第31-45页 |
| §2-1 AlGaN/GaN异质结材料的外延生长 | 第31-33页 |
| 2-1-1 衬底选择 | 第31页 |
| 2-1-2 外延生长 | 第31-33页 |
| §2-2 AlGaN/GaN HFET器件制备 | 第33-37页 |
| 2-2-1 清洗工艺 | 第33页 |
| 2-2-2 光刻工艺 | 第33-35页 |
| 2-2-3 器件隔离工艺 | 第35页 |
| 2-2-4 欧姆接触工艺 | 第35-36页 |
| 2-2-5 栅槽刻蚀工艺 | 第36页 |
| 2-2-6 Al_2O_3介质层淀积工艺 | 第36-37页 |
| 2-2-7 肖特基接触工艺 | 第37页 |
| 2-2-8 钝化工艺 | 第37页 |
| §2-3 AlGaN/GaN HFETs材料与器件参数测试方法 | 第37-43页 |
| 2-3-1 AlGaN/GaN HFETs材料测试参数 | 第37-38页 |
| 2-3-2 AlGaN/GaN HFETs器件测试方法 | 第38-43页 |
| §2-4 AlGaN/GaN HFETs器件的工作原理 | 第43-45页 |
| 第三章 极化库仑场散射对凹栅槽AlGaN/GaN HFETs器件迁移率的影响 | 第45-64页 |
| §3-1 AlGaN/GaN HFETs器件中散射机制 | 第45-50页 |
| §3-2 极化库仑场散射对凹栅槽AlGaN/GaN HFETs器件迁移率的影响 | 第50-64页 |
| 第四章 极化库仑场散射对凹栅槽耗尽型AlGaN/GaN HFETs器件栅源通道电阻R_(ch)~s和非本征跨导g_m的影响 | 第64-74页 |
| §4-1 极化库仑场散射对凹栅槽耗尽型AlGaN/GaN HFETs器件栅源通道电阻R_(ch)~s的影响 | 第64-69页 |
| §4-2极化库仑场散射对凹栅槽耗尽型AlGaN/GaN HFETs非本征跨导g_m的影响 | 第69-74页 |
| 第五章 极化库仑场散射对凹栅槽增强型AlGaN/GaN HFETs器件特性影响研究 | 第74-85页 |
| §5-1 极化库仑场散射对凹栅槽增强型AlGaN/GaN HFETs器件2DEG电子迁移率的影响 | 第76-82页 |
| §5-2 极化库仑场散射对凹栅槽增强型AlGaN/GaN HEMsT器件栅源通道电阻R_(ch)~s的影响 | 第82-85页 |
| 第六章 结论 | 第85-89页 |
| 参考文献 | 第89-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第97页 |
