摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
1.1 引言 | 第8-10页 |
1.2 有机近红外光探测器研究进展 | 第10-12页 |
1.3 本文的选题意义及研究内容 | 第12-14页 |
第二章 有机光敏场效应管的工作原理及特性 | 第14-26页 |
2.1 引言 | 第14页 |
2.2 有机场效应半导体材料简介 | 第14-17页 |
2.2.1 有机共轭高分子场效应材料 | 第15-16页 |
2.2.2 有机小分子场效应材料 | 第16-17页 |
2.3 有机光敏场效应晶体管介绍 | 第17-25页 |
2.3.1 有机光敏场效应管的常见构型 | 第17-18页 |
2.3.2 有机光敏场效应管的基本工作原理 | 第18-21页 |
2.3.3 有机光敏场效应管的输出特性与转移特性 | 第21页 |
2.3.4 有机光敏场效应管的光电性能参数 | 第21-25页 |
2.4 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 基于平面异质结的酞菁锡有机近红外光敏场效应管 | 第26-44页 |
3.1 引言 | 第26页 |
3.2 器件制备与表征 | 第26-29页 |
3.3 功能层为单层酞菁锡的有机近红外光敏场效应管 | 第29-31页 |
3.4 基于平面异质结结构的酞菁锡近红外光敏有机场效应管 | 第31-42页 |
3.4.1 单层并五苯场效应管的光敏性能 | 第31-33页 |
3.4.2 基于并五苯/酞菁锡平面异质结结构的PhOFET | 第33-37页 |
3.4.3 基于pentacene/SnPc/C_(60)平面异质结结构的PhOFET | 第37-41页 |
3.4.4 时间响应特性研究 | 第41-42页 |
3.5 本章小结 | 第42-44页 |
第四章 基于混合平面-体异质结结构的有机近红外光敏场效应管的研究 | 第44-55页 |
4.1 引言 | 第44页 |
4.2 器件制备与表征 | 第44-46页 |
4.2.1 器件制备过程 | 第44-46页 |
4.2.2 器件测试 | 第46页 |
4.3 混合平面-体异质结结构有机近红外光敏场效应管性能研究 | 第46-54页 |
4.3.1 p-i结构器件的光电性能研究 | 第46-48页 |
4.3.2 p-i-n结构器件的光电性能研究 | 第48-49页 |
4.3.3 p-p-i结构PhOFET器件的光电性能研究 | 第49-54页 |
4.4 本章小结 | 第54-55页 |
第五章 结论与展望 | 第55-57页 |
5.1 本文的结论 | 第55页 |
5.2 展望 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
附录A 缩写词列表 | 第61-63页 |
附录B 物理量符号列表 | 第63-64页 |
在学期间研究成果 | 第64-65页 |
致谢 | 第65页 |