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酞菁锡有机近红外光敏场效应管制备及其功能层结构研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-14页
    1.1 引言第8-10页
    1.2 有机近红外光探测器研究进展第10-12页
    1.3 本文的选题意义及研究内容第12-14页
第二章 有机光敏场效应管的工作原理及特性第14-26页
    2.1 引言第14页
    2.2 有机场效应半导体材料简介第14-17页
        2.2.1 有机共轭高分子场效应材料第15-16页
        2.2.2 有机小分子场效应材料第16-17页
    2.3 有机光敏场效应晶体管介绍第17-25页
        2.3.1 有机光敏场效应管的常见构型第17-18页
        2.3.2 有机光敏场效应管的基本工作原理第18-21页
        2.3.3 有机光敏场效应管的输出特性与转移特性第21页
        2.3.4 有机光敏场效应管的光电性能参数第21-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 基于平面异质结的酞菁锡有机近红外光敏场效应管第26-44页
    3.1 引言第26页
    3.2 器件制备与表征第26-29页
    3.3 功能层为单层酞菁锡的有机近红外光敏场效应管第29-31页
    3.4 基于平面异质结结构的酞菁锡近红外光敏有机场效应管第31-42页
        3.4.1 单层并五苯场效应管的光敏性能第31-33页
        3.4.2 基于并五苯/酞菁锡平面异质结结构的PhOFET第33-37页
        3.4.3 基于pentacene/SnPc/C_(60)平面异质结结构的PhOFET第37-41页
        3.4.4 时间响应特性研究第41-42页
    3.5 本章小结第42-44页
第四章 基于混合平面-体异质结结构的有机近红外光敏场效应管的研究第44-55页
    4.1 引言第44页
    4.2 器件制备与表征第44-46页
        4.2.1 器件制备过程第44-46页
        4.2.2 器件测试第46页
    4.3 混合平面-体异质结结构有机近红外光敏场效应管性能研究第46-54页
        4.3.1 p-i结构器件的光电性能研究第46-48页
        4.3.2 p-i-n结构器件的光电性能研究第48-49页
        4.3.3 p-p-i结构PhOFET器件的光电性能研究第49-54页
    4.4 本章小结第54-55页
第五章 结论与展望第55-57页
    5.1 本文的结论第55页
    5.2 展望第55-57页
参考文献第57-61页
附录A 缩写词列表第61-63页
附录B 物理量符号列表第63-64页
在学期间研究成果第64-65页
致谢第65页

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