| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 薄膜晶体管的基本理论 | 第9-12页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的结构 | 第9页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第9-11页 |
| 1.1.3 薄膜晶体管的参数分析 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的研究意义及应用 | 第12-16页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的研究意义 | 第12-14页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的应用 | 第14-16页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文主要研究内容及章节安排 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜晶体管的制备与表征方法 | 第18-27页 |
| 2.1 脉冲激光沉积技术 | 第18-21页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积技术的原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 PLD的特点 | 第19-20页 |
| 2.1.3 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.2 热氧氧化方法制备绝缘层 | 第21-22页 |
| 2.3 热蒸发技术制备电极 | 第22-23页 |
| 2.4 薄膜表征手段 | 第23-26页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第23页 |
| 2.4.2 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.4.3 紫外-可见分光光度计 | 第24-25页 |
| 2.4.4 霍尔效应测试 | 第25-26页 |
| 2.5 器件性能表征 | 第26-27页 |
| 2.5.1 薄膜晶体管绝缘层的介电性质的测量 | 第26页 |
| 2.5.2 薄膜晶体管电学性质的测试 | 第26-27页 |
| 第三章 铟镓锌氧薄膜的制备与表征 | 第27-42页 |
| 3.1 InGaZnO陶瓷靶材的制备及表征 | 第27-29页 |
| 3.1.1 InGaZnO陶瓷靶材的制备 | 第27-28页 |
| 3.1.2 InGaZnO陶瓷靶材的结晶性能表征 | 第28-29页 |
| 3.2 薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.1 衬底的清理 | 第29页 |
| 3.2.2 PLD系统的操作步骤 | 第29-30页 |
| 3.3 氧气压强对PLD制备的InGaZnO薄膜的影响 | 第30-35页 |
| 3.3.1 实验条件 | 第30页 |
| 3.3.2 氧气压强对薄膜结晶性能的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.3 氧气压强对薄膜表面形貌的影响 | 第31页 |
| 3.3.4 氧气压强对薄膜电学性质的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.5 氧气压强对薄膜透过率的影响 | 第32-35页 |
| 3.3.6 本节小结 | 第35页 |
| 3.4 Zn浓度对InGaZnO薄膜的影响 | 第35-39页 |
| 3.4.1 实验条件 | 第35页 |
| 3.4.2 Zn浓度对薄膜结晶性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.3 Zn浓度对InGaZnO薄膜的表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.4 Zn浓度对薄膜透过率的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.5 Zn浓度对薄膜电学性质的影响 | 第38页 |
| 3.4.6 本节小结 | 第38-39页 |
| 3.5 氧气流量对InGaZnO薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.1 InGaZnO薄膜的制备条件 | 第39页 |
| 3.5.2 InGaZnO薄膜表面形貌及电学性能分析 | 第39-41页 |
| 3.5.3 本节小结 | 第41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 InGaZnO薄膜晶体管制备与表征 | 第42-61页 |
| 4.1 SiO_2薄膜的生长及性能表征 | 第42-44页 |
| 4.1.1 SiO_2的结晶性能 | 第42-43页 |
| 4.1.2 SiO_2的表面形貌 | 第43页 |
| 4.1.3 SiO_2的电学性质 | 第43-44页 |
| 4.1.4 本节小结 | 第44页 |
| 4.2 薄膜晶体管的结构以及制备流程 | 第44-46页 |
| 4.3 退火对InGaZnO-TFT的影响 | 第46-51页 |
| 4.3.1 实验条件 | 第46页 |
| 4.3.2 退火前后InGaZnO-TFT器件性能 | 第46-48页 |
| 4.3.3 TFT器件性能的时间演化效应 | 第48-50页 |
| 4.3.4 本节小结 | 第50-51页 |
| 4.4 不同元素比例的InGaZnO薄膜对InGaZnO-TFT的影响 | 第51-54页 |
| 4.4.1 不同Zn浓度的InGaZnO-TFT的制备条件 | 第51页 |
| 4.4.2 Zn浓度对薄膜表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| 4.4.3 Zn浓度对器件电学性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.4.4 本节小结 | 第53-54页 |
| 4.5 氧气压强对InGaZnO-TFT的影响 | 第54-56页 |
| 4.5.1 实验条件 | 第54页 |
| 4.5.2 InGaZnO-TFT电学性质的测试与分析 | 第54-56页 |
| 4.5.3 本节小结 | 第56页 |
| 4.6 氧气流量对InGaZnO-TFT的影响 | 第56-59页 |
| 4.6.1 实验条件 | 第57页 |
| 4.6.2 不同氧气流量制备的InGaZnO-TFT的电学性能 | 第57-59页 |
| 4.6.3 本节小结 | 第59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 InTiZnO薄膜晶体管制备与表征 | 第61-69页 |
| 5.1 沟道层厚度对InTiZnO-TFT的影响 | 第61-62页 |
| 5.1.1 实验条件 | 第61页 |
| 5.1.2 不同沟道层厚度的InTiZnO-TFT的电学性能 | 第61-62页 |
| 5.2 氧气压强对InTiZnO-TFT的影响 | 第62-64页 |
| 5.2.1 实验条件 | 第62-63页 |
| 5.2.2 氧气压强对InTiZnO-TFT的电学性能 | 第63-64页 |
| 5.3 激光退火脉冲数对InTiZnO-TFT的影响 | 第64-66页 |
| 5.3.1 实验条件 | 第64-65页 |
| 5.3.2 脉冲数对InTiZnO-TFT的电学性能 | 第65-66页 |
| 5.4 激光退火能量对InTiZnO-TFT的影响 | 第66-67页 |
| 5.4.1 实验条件 | 第66-67页 |
| 5.4.2 脉冲数对InTiZnO-TFT的电学性能 | 第67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
