| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 SOI器件概述 | 第10-11页 |
| 1.2 超薄SOI器件概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 超薄SOI器件纵向耐压技术概述 | 第12-14页 |
| 1.2.2 超薄SOI器件散热研究概述 | 第14-16页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 SOI功率MOSFET常用的典型技术 | 第17-27页 |
| 2.1 超结技术 | 第17-22页 |
| 2.1.1 超结理论 | 第17-18页 |
| 2.1.2 超结功率器件 | 第18-22页 |
| 2.2 衬底刻蚀技术 | 第22-23页 |
| 2.3 其他常用技术的介绍 | 第23-25页 |
| 2.3.1 场板技术 | 第23-24页 |
| 2.3.2 RESURF技术 | 第24-25页 |
| 2.3.3 槽型技术 | 第25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 积累型超薄SOI LDMOS研究与工艺实现 | 第27-42页 |
| 3.1 积累型超薄SOI LDMOS的结构及工作机理 | 第27-29页 |
| 3.1.1 积累型超薄SOI LDMOS器件结构 | 第27-28页 |
| 3.1.2 积累型超薄SOI LDMOS器件的工作机理 | 第28-29页 |
| 3.2 积累型延伸栅超薄SOI LDMOS的仿真结果讨论 | 第29-36页 |
| 3.2.1 击穿电压和比导通电阻 | 第30-33页 |
| 3.2.2 温度特性 | 第33-35页 |
| 3.2.3 其他仿真结果 | 第35-36页 |
| 3.3 积累型超薄SOI LDMOS的制造工艺 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 具有背部刻蚀的积累型超薄SOI LDMOS研究 | 第42-60页 |
| 4.1 具有背部刻蚀的积累型超薄SOI LDMOS的结构及工作机理 | 第42-44页 |
| 4.1.1 具有背部刻蚀的积累型超薄SOI LDMOS器件结构 | 第42-43页 |
| 4.1.2 具有背部刻蚀的积累型超薄SOI LDMOS器件的工作机理 | 第43-44页 |
| 4.2 具有背部刻蚀的积累型超薄SOI LDMOS的仿真结果讨论 | 第44-55页 |
| 4.2.1 击穿电压和比导通电阻 | 第44-49页 |
| 4.2.2 温度特性 | 第49-52页 |
| 4.2.3 其他仿真结果 | 第52-55页 |
| 4.3 具有背部刻蚀的积累型超薄SOI LDMOS器件的制造工艺 | 第55-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
