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一种垂直型恒流二极管的研究与设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 课题背景第10-12页
    1.2 国内外发展动态及研究现状第12-14页
    1.3 本文所做工作第14-16页
第二章 CRD器件与LED驱动电路第16-27页
    2.1 LED驱动电路第16-22页
        2.1.1 直流驱动第17-21页
        2.1.2 交流驱动第21-22页
    2.2 CRD器件驱动LED第22-26页
    2.3 本章小结第26-27页
第三章 类耗尽DMOS型垂直恒流二极管第27-44页
    3.1 器件结构及工作原理第27-32页
        3.1.1 器件结构第27-29页
        3.1.2 器件I-V特性与工作原理第29-32页
    3.2 器件参数优化第32-35页
    3.3 场限环终端设计第35-40页
        3.3.1 场限环终端理论分析第36-38页
        3.3.2 终端仿真第38-40页
    3.4 工艺流程第40-43页
    3.5 本章小结第43-44页
第四章 类JFET双外延槽型阴极垂直恒流二极管第44-58页
    4.1 器件结构及工作原理第44-46页
        4.1.1 器件结构第44-45页
        4.1.2 器件工作原理第45-46页
    4.2 器件参数优化第46-50页
    4.3 器件工艺流程与版图设计第50-52页
        4.3.1 工艺流程第50-51页
        4.3.2 版图结构第51-52页
    4.4 器件实验及测试第52-56页
    4.5 本章小结第56-58页
第五章 结论第58-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-64页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第64-65页

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