| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 引言 | 第15-17页 |
| 1.2 P型铜铁矿TCO的国内外研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3 P型CuCrO_2的晶体结构和能带结构 | 第18-20页 |
| 1.3.1 CuCrO_2的晶体结构 | 第18-19页 |
| 1.3.2 CuCrO_2的能带结构 | 第19-20页 |
| 1.4 CuCrO_2薄膜的应用前景 | 第20-24页 |
| 1.5 论文的研究意义与主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 CuCrO_2薄膜的制备及表征方法 | 第26-42页 |
| 2.1 CuCrO_2薄膜的制备方法简介 | 第26-31页 |
| 2.1.1 分子束外延法 | 第26-27页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积法 | 第27-28页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第28-29页 |
| 2.1.4 溶胶凝胶法 | 第29-30页 |
| 2.1.5 电子束蒸发法 | 第30-31页 |
| 2.2 CuCrO_2薄膜的制备 | 第31-35页 |
| 2.2.1 磁控溅射法 | 第31-32页 |
| 2.2.2 薄膜的制备工艺 | 第32-35页 |
| 2.3 薄膜的表征方法 | 第35-42页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第35-37页 |
| 2.3.2 场发射扫描电子显微镜分析 | 第37-38页 |
| 2.3.3 紫外-可见光透射光谱分析 | 第38-39页 |
| 2.3.4 薄膜的厚度测量 | 第39-40页 |
| 2.3.5 薄膜的电学性能测量 | 第40-42页 |
| 第三章 CuCrO_2薄膜的制备与性能分析 | 第42-66页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 衬底温度对CuCrO_2薄膜的性能影响 | 第42-50页 |
| 3.2.1 衬底温度对CuCrO_2薄膜的物相结构的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.2 衬底温度对CuCrO_2薄膜的表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| 3.2.3 衬底温度对CuCrO_2薄膜的光学性能的影响 | 第46-50页 |
| 3.3 溅射功率对CuCrO_2薄膜的性能影响 | 第50-58页 |
| 3.3.1 CuCrO_2薄膜的沉积速率与溅射功率P_s的关系 | 第50-52页 |
| 3.3.2 溅射功率P_s对CuCrO_2薄膜的物相结构的影响 | 第52-54页 |
| 3.3.3 溅射功率P_s对CuCrO_2薄膜的表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.4 溅射功率P_S对CuCrO_2薄膜的光学性能的影响 | 第55-58页 |
| 3.4 退火时间对CuCrO_2薄膜的性能影响 | 第58-64页 |
| 3.4.1 退火时间对CuCrO_2薄膜的物相结构的影响 | 第58-59页 |
| 3.4.2 退火时间对CuCrO_2薄膜的表面形貌的影响 | 第59-61页 |
| 3.4.3 退火时间对CuCrO_2薄膜的光学性能的影响 | 第61-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 p-CuCrO_2/n-ZnO p-n结的制备与性能分析 | 第66-75页 |
| 4.1 p-CuCrO_2/n-ZnO p-n结的制备 | 第66-69页 |
| 4.1.1 样品制备 | 第66-67页 |
| 4.1.2 电极的制备 | 第67-68页 |
| 4.1.3 p-CuCrO_2/n-ZnO p-n结的测试 | 第68-69页 |
| 4.2 p-CuCrO_2/n-ZnO p-n结的性能测试 | 第69-74页 |
| 4.2.1 p-CuCrO_2/n-ZnO p-n结的物相结构分析 | 第69-70页 |
| 4.2.2 p-CuCrO_2/n-ZnO p-n结的表面形貌分析 | 第70-71页 |
| 4.2.3 p-CuCrO_2/n-ZnO p-n结的I-V特性分析 | 第71-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 全文总结 | 第75-77页 |
| 特色与创新之处 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
