| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 引言 | 第14-16页 |
| 1.2 气体传感器简介 | 第16-23页 |
| 1.2.1 传感器的分类 | 第16-19页 |
| 1.2.2 传感器的性能参数 | 第19-23页 |
| 1.3 金属氧化物半导体材料在气体传感器的应用 | 第23-31页 |
| 1.3.1 金属氧化物半导体材料 | 第23-27页 |
| 1.3.2 金属氧化物半导体传感器敏感机理 | 第27-30页 |
| 1.3.3 半导体金属氧化物硫化氢传感器研究现状及发展趋势 | 第30-31页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第31-32页 |
| 第2章 Cu掺杂的SnO_2纳米线的制备及其对H_2S气体的检测 | 第32-50页 |
| 2.0 前言 | 第32-33页 |
| 2.1 SnO_2: Cu纳米线的制备 | 第33-36页 |
| 2.1.1 原位静电纺丝方法简介及材料的制备 | 第33-35页 |
| 2.1.2 气敏元件的制作 | 第35-36页 |
| 2.2 纳米线的形貌及结构表征分析 | 第36-40页 |
| 2.3 Cu掺杂的SnO_2纳米线的气敏性能测试分析 | 第40-47页 |
| 2.3.1 气敏测试设备及方法 | 第40-41页 |
| 2.3.2 气敏性能分析 | 第41-47页 |
| 2.4 气敏原理分析 | 第47-48页 |
| 2.5 小结 | 第48-50页 |
| 第3章 Ni掺杂的SnO_2纳米线的制备及其对H_2S气体的检测 | 第50-65页 |
| 3.1 引言 | 第50-52页 |
| 3.2 SnO_2: Ni纳米线的制备 | 第52-53页 |
| 3.2.1 材料的制备 | 第52页 |
| 3.2.2 气敏元件的制作 | 第52-53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-63页 |
| 3.3.1 Ni掺杂SnO_2纳米线的微观形貌及表征 | 第53-55页 |
| 3.3.2 气敏测试结果及讨论 | 第55-63页 |
| 3.4 气敏原理分析 | 第63-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 4.1 结论 | 第65-66页 |
| 4.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
