| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 YIG材料在自旋电子学中的应用背景 | 第12-14页 |
| 1.2 YIG材料简介 | 第14-17页 |
| 1.3 金属/YIG界面磁近邻效应与自旋输运现象 | 第17-30页 |
| 1.3.1 金属/YIG结构在自旋电子学中的应用 | 第17-18页 |
| 1.3.2 金属/YIG界面的磁近邻效应与争议 | 第18-20页 |
| 1.3.3 金属/YIG界面的自旋泵浦效应 | 第20-23页 |
| 1.3.4 金属/YIG界面的反常霍尔效应 | 第23-26页 |
| 1.3.5 金属/YIG界面各向异性磁阻与自旋霍尔磁阻 | 第26-27页 |
| 1.3.6 金属/YIG界面的反常能斯特效应与自旋赛贝克效应 | 第27-30页 |
| 1.4 二维材料/磁性材料结构中的磁近邻效应 | 第30-38页 |
| 1.4.1 磁性二维材料的实现及应用背景 | 第30-34页 |
| 1.4.2 石墨烯/磁性材料异质结的磁近邻效应 | 第34-37页 |
| 1.4.3 过渡金属硫化物类二维材料/磁性材料异质结的磁近邻效应 | 第37-38页 |
| 1.5 本文的主要贡献与创新 | 第38-39页 |
| 1.6 本论文的结构安排 | 第39-40页 |
| 第二章 计算与实验方法 | 第40-48页 |
| 2.1 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法 | 第40-44页 |
| 2.1.1 密度泛函理论 | 第40-41页 |
| 2.1.2 交换关联泛函 | 第41-42页 |
| 2.1.3 赝势方法 | 第42-43页 |
| 2.1.4 投影缀加平面波方法 | 第43页 |
| 2.1.5 常用的第一性原理计算软件包 | 第43-44页 |
| 2.2 实验方法 | 第44-48页 |
| 2.2.1 薄膜材料与器件的制备方法 | 第44-45页 |
| 2.2.2 薄膜材料与器件的表征方法 | 第45-48页 |
| 第三章 YIG及Ce掺杂YIG材料的第一性原理计算 | 第48-59页 |
| 3.1 前言 | 第48页 |
| 3.2 YIG材料的第一性原理计算 | 第48-54页 |
| 3.2.1 YIG的晶格结构与计算参数的确定 | 第48-51页 |
| 3.2.2 YIG的磁性计算 | 第51-52页 |
| 3.2.3 YIG的光学性质计算 | 第52-54页 |
| 3.3 Ce掺杂YIG材料性质的第一性原理计算 | 第54-58页 |
| 3.3.1 Ce掺杂YIG的磁性与光学性能计算 | 第54-56页 |
| 3.3.2 氧空位对Ce掺杂YIG材料的影响 | 第56-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 金属/YIG界面磁近邻效应的第一性原理计算研究 | 第59-76页 |
| 4.1 前言 | 第59页 |
| 4.2 Pt/YIG界面的磁近邻效应 | 第59-70页 |
| 4.2.1 YIG的不同晶向对磁近邻效应的影响 | 第59-64页 |
| 4.2.2 YIG的不同截止界面对磁近邻效应的影响 | 第64-66页 |
| 4.2.3 YIG的界面缺陷对磁近邻效应的影响 | 第66-70页 |
| 4.3 Au/YIG界面的磁近邻效应 | 第70-74页 |
| 4.3.1 Au/YIG与Pt/YIG界面的磁近邻效应的比较 | 第70-72页 |
| 4.3.2 氧空位对Au/YIG界面的磁近邻效应的影响 | 第72-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 Al掺杂对Pt/YIG界面磁近邻效应的影响 | 第76-85页 |
| 5.1 前言 | 第76页 |
| 5.2 Y_3Fe_(5-x)Al_xO_(12)薄膜的表征 | 第76-79页 |
| 5.2.1 Y_3Fe_(5-x)Al_xO_(12)薄膜的结构表征 | 第76-77页 |
| 5.2.2 Y_3Fe_(5-x)Al_xO_(12)薄膜的磁性表征 | 第77-79页 |
| 5.3 Pt/Y_3Fe_(5-x)Al_xO_(12)器件的反常霍尔效应 | 第79-84页 |
| 5.3.1 Pt层的反常霍尔电阻与Al掺杂浓度的关系 | 第79-80页 |
| 5.3.2 Pt层反常霍尔电阻与温度的关系 | 第80-81页 |
| 5.3.3 Pt层反常霍尔电阻与直流电阻的关系 | 第81-82页 |
| 5.3.4 Pt层反常霍尔电阻与磁近邻效应诱导磁矩的关系 | 第82-84页 |
| 5.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第六章 单层MoS_2/磁性绝缘体界面的磁近邻效应 | 第85-102页 |
| 6.1 前言 | 第85页 |
| 6.2 单层MoS_2/EuS界面的磁近邻效应 | 第85-96页 |
| 6.2.1 单层MoS_2与EuS的两种吸附方式 | 第85-87页 |
| 6.2.2 两种吸附方式下单层MoS_2/EuS界面磁近邻效应的比较 | 第87-91页 |
| 6.2.3 其它过渡金属硫化物类二维材料/EuS界面的磁近邻效应 | 第91-94页 |
| 6.2.4 两种吸附方式下单层MoS_2/EuS系统磁近邻效应的电场调控 | 第94-96页 |
| 6.3 单层MoS_2/YIG范德华异质结的磁近邻效应 | 第96-100页 |
| 6.3.1 单层MoS_2/YIG范德华异质结的制备与结构表征 | 第96页 |
| 6.3.2 单层MoS_2/YIG范德华异质结的荧光光谱与谷极化率 | 第96-98页 |
| 6.3.3 单层MoS_2/YIG范德华异质结的电输运性能测试 | 第98-99页 |
| 6.3.4 单层MoS_2/YIG范德华异质结的电子结构计算 | 第99-100页 |
| 6.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第102-105页 |
| 7.1 全文总结 | 第102-103页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第116-118页 |
