| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的应用与研究现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的发展历史 | 第14-15页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的种类 | 第15-17页 |
| 1.2.4 ITZO TFT的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 薄膜晶体管的结构及工作原理 | 第19-25页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的基本结构 | 第19-20页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第20-23页 |
| 1.3.3 薄膜晶体管的电学参数计算 | 第23-25页 |
| 1.4 论文的主要工作 | 第25-26页 |
| 第二章 ITZO TFT的制备表征方法 | 第26-37页 |
| 2.1 ITZO有源层的制备方法 | 第26-29页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射设备与原理 | 第26-29页 |
| 2.2 表征方法 | 第29-36页 |
| 2.2.1 ITZO TFT电学性能测试 | 第29-30页 |
| 2.2.2 ITZO薄膜厚度测试 | 第30-31页 |
| 2.2.3 ITZO薄膜结构特性测试 | 第31-33页 |
| 2.2.4 ITZO薄膜光学特性测试 | 第33-34页 |
| 2.2.5 ITZO薄膜电学特性测试 | 第34-36页 |
| 2.3 本章总结 | 第36-37页 |
| 第三章 ITZO TFT的制备 | 第37-39页 |
| 3.1 衬底清洗 | 第37页 |
| 3.2 ITZO TFT的制程 | 第37-38页 |
| 3.3 ITZO TFT性能测试 | 第38页 |
| 3.4 本章总结 | 第38-39页 |
| 第四章 射频磁控溅射工艺参数对ITZO TFT性能的影响 | 第39-54页 |
| 4.1 溅射功率对ITZO TFT性能的影响 | 第39-43页 |
| 4.2 不同气压对ITZO TFT性能的影响情况 | 第43-49页 |
| 4.3 氧分压对ITZO TFT性能的影响规律 | 第49-52页 |
| 4.4 本章总结 | 第52-54页 |
| 第五章 有源层厚度对ITZO TFT性能的影响及其稳定性研究 | 第54-64页 |
| 5.1 有源层厚度对ITZO TFT的影响 | 第54-56页 |
| 5.2 ITZO TFT在空气中的稳定性研究 | 第56-62页 |
| 5.3 本章总结 | 第62-64页 |
| 第六章 总结 | 第64-67页 |
| 6.1 主要结果 | 第64-66页 |
| 6.2 创新点 | 第66页 |
| 6.3 不足与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 附件 | 第74页 |