| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 短脉冲激光器的应用及意义 | 第13-14页 |
| 1.2 激光Q调制的基本机理 | 第14-16页 |
| 1.2.1 激光调Q技术原理 | 第14-15页 |
| 1.2.2 几种常用的调Q技术 | 第15-16页 |
| 1.3 被动调Q速率方程理论 | 第16-18页 |
| 1.4 本文用到的激光工作物质 | 第18页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 掺Bi砷化镓可饱和吸收体的制备 | 第20-25页 |
| 2.1 GaAs材料的研究背景与现状 | 第20-21页 |
| 2.2 GaAs在2μm波段激光器的应用前景 | 第21页 |
| 2.3 掺Bi砷化镓可饱和吸收体的制备和性质 | 第21-24页 |
| 2.3.1 掺Bi砷化镓材料的研究背景 | 第21-22页 |
| 2.3.2 离子注入法和热退火处理制备掺Bi砷化镓 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 2μm波段砷化镓及掺Bi砷化镓的被动调Q | 第25-35页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 实验装置 | 第26页 |
| 3.3 砷化镓与掺Bi砷化镓半导体材料的光学吸收特性 | 第26-29页 |
| 3.3.1 掺Bi砷化镓的透过率 | 第27-28页 |
| 3.3.2 砷化镓与掺Bi砷化镓材料的可饱和吸收特性 | 第28-29页 |
| 3.4 实验结果与分析 | 第29-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 网状结构单壁碳纳米管的制备和光学特性 | 第35-42页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 单壁碳纳米管的结构和基本性质 | 第35-37页 |
| 4.3 碳纳米管材料的制备方式 | 第37-38页 |
| 4.4 有序排列单壁碳纳米管的生长机理和研究进展 | 第38-39页 |
| 4.5 有序结构SWCNT材料的吸收特性 | 第39-40页 |
| 4.6 网状结构单臂碳纳米管可饱和吸收体溶液的制备 | 第40-41页 |
| 4.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 网状结构单壁碳纳米管被动调Q激光特性研究 | 第42-53页 |
| 5.1 引言 | 第42-43页 |
| 5.2 SWCNT可饱和吸收溶液的形态表征 | 第43-44页 |
| 5.3 实验装置 | 第44-45页 |
| 5.4 实验结果 | 第45-52页 |
| 5.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 全文总结 | 第53-55页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第53-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读硕士研究生期间研究成果 | 第63-64页 |
| 学俭论文评阅及答辩情况表 | 第64页 |
