| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 太赫兹电磁波的特点 | 第9页 |
| 1.1.2 太赫兹电磁波的产生和探测 | 第9-10页 |
| 1.1.3 太赫兹成像技术的应用前景 | 第10页 |
| 1.2 基于CMOS工艺的太赫兹成像技术的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 论文主要工作和组织结构 | 第12-13页 |
| 第二章 基于CMOS工艺的太赫兹检波器原理 | 第13-21页 |
| 2.1 基于流体力学的MOSFET太赫兹检波原理 | 第13-16页 |
| 2.2 基于非准静态模型的MOSFET太赫兹检波原理 | 第16-19页 |
| 2.2.1 阻性自混频的准静态分析 | 第17-18页 |
| 2.2.2 分布式阻性自混频的非准静态分析 | 第18-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 CMOS片上太赫兹成像单元天线的研究 | 第21-31页 |
| 3.1 实现片上天线的优点和难点 | 第21-22页 |
| 3.1.1 实现片上天线的优点 | 第21页 |
| 3.1.2 实现片上天线的难点 | 第21-22页 |
| 3.2 微带馈电矩形贴片天线基本原理 | 第22-24页 |
| 3.3 微带馈电矩形贴片天线设计 | 第24-29页 |
| 3.4 天线与检波单元的阻抗匹配 | 第29-30页 |
| 3.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 CMOS运算放大器的研究 | 第31-47页 |
| 4.1 研究背景 | 第31-33页 |
| 4.1.1 运算放大器的基本原理 | 第31-32页 |
| 4.1.2 运算放大器的性能指标 | 第32-33页 |
| 4.1.3 本文运算放大器设计的基本思路 | 第33页 |
| 4.2 两级运算放大器的设计 | 第33-35页 |
| 4.2.1 30dB两级运算放大器设计 | 第33-34页 |
| 4.2.2 42dB两级运算放大器设计 | 第34-35页 |
| 4.3 反馈型两级运算放大器设计 | 第35-37页 |
| 4.3.1 30dB电阻反馈型两级运算放大器设计 | 第35-36页 |
| 4.3.2 31dB电容反馈型两级运算放大器设计 | 第36-37页 |
| 4.4 低噪声运算放大器设计 | 第37-39页 |
| 4.5 CMOS运算放大器的测试 | 第39-45页 |
| 4.5.1 30dB两级运算放大器的测试 | 第41页 |
| 4.5.2 42dB两级运算放大器的测试 | 第41-42页 |
| 4.5.3 30dB电阻反馈型两级运算放大器的测试 | 第42-43页 |
| 4.5.4 31dB电容反馈型两级运算放大器的测试 | 第43页 |
| 4.5.5 32dB低噪声运算放大器的测试 | 第43-44页 |
| 4.5.6 CMOS运算放大器的测试结果与仿真结果的比较 | 第44-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 CMOS太赫兹成像单元与阵列研究 | 第47-69页 |
| 5.1 不带天线的太赫兹成像单元的设计 | 第47-50页 |
| 5.1.1 带两级运算放大器的成像单元设计 | 第47-48页 |
| 5.1.2 带反馈型运算放大器的成像单元设计 | 第48-49页 |
| 5.1.3 带低噪声运算放大器的成像单元设计 | 第49-50页 |
| 5.2 带天线的太赫兹成像单元的设计 | 第50-51页 |
| 5.3 CMOS太赫兹成像阵列的设计 | 第51-55页 |
| 5.3.1 2×2太赫兹成像阵列系统架构 | 第51页 |
| 5.3.2 行列控制信号产生电路设计 | 第51-53页 |
| 5.3.3 2×2太赫兹成像阵列电路设计 | 第53-55页 |
| 5.4 不带天线的太赫兹成像单元的测试 | 第55-65页 |
| 5.4.1 带30dB两级运算放大器的成像单元的测试 | 第56-60页 |
| 5.4.2 带42dB两级运算放大器的成像单元的测试 | 第60-63页 |
| 5.4.3 带31dB电容反馈型运算放大器的成像单元的测试 | 第63-65页 |
| 5.5 2×2太赫兹成像阵列的测试 | 第65-67页 |
| 5.5.1 行列控制信号产生电路的测试 | 第65-66页 |
| 5.5.2 阵列逻辑功能的测试 | 第66-67页 |
| 5.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 作者简介 | 第77页 |
