中文摘要 | 第4-5页 |
英文摘要 | 第5页 |
第1章 绪论 | 第6-11页 |
1.1 引言 | 第6-8页 |
1.2 本研究的主要内容及意义 | 第8-11页 |
第2章 IGBT简介 | 第11-19页 |
2.1 IGBT概念的提出 | 第11-13页 |
2.2 IGBT工作原理 | 第13-15页 |
2.3 IGBT器件的特性 | 第15-18页 |
2.3.1 IGBT的静态特性 | 第15-16页 |
2.3.2 IGBT动态特性 | 第16-18页 |
2.4 本章小结 | 第18-19页 |
第3章 目前已批量生产的两类IGBT | 第19-31页 |
3.1 穿通型IGBT(PT-IGBT) | 第19-22页 |
3.2 非穿通型IGBT(NPT-IGBT) | 第22-30页 |
3.2.1 NPT-IGBT结构及工艺简介 | 第22-26页 |
3.2.2 NPT-IGBT和PT-IGBT功耗性能比较 | 第26-30页 |
3.3 本章小结 | 第30-31页 |
第4章 本研究提出的新结构IGBT(LPL-IGBT) | 第31-38页 |
4.1 NPT-IGBT的不足之处 | 第31-32页 |
4.2 场中止IGBT(FSIGBT) | 第32-34页 |
4.3 低功耗IGBT(LPL-IGBT) | 第34-36页 |
4.4 本章小结 | 第36-38页 |
第5章 LPL-IGBT的制造、测试结果及分析 | 第38-64页 |
5.1 LPL-IGBT仿真简介 | 第38-42页 |
5.2 LPL-IGBT仿真优化 | 第42-46页 |
5.3 LPL-IGBT的第一次流水情况介绍及测试结果 | 第46-54页 |
5.3.1 LPL-IGBT第一次流水的版图设计 | 第46-50页 |
5.3.2 第一次流水的正面结构的工艺流程 | 第50-51页 |
5.3.3 第一次流水的测试结果及分析 | 第51-53页 |
5.3.4 第一次流水的问题说明 | 第53-54页 |
5.4 LPL-IGBT第二次流水情况介绍及测试结果 | 第54-62页 |
5.4.1 第二次流水的具体情况介绍 | 第54-56页 |
5.4.2 第二次流水正面工艺介绍 | 第56-59页 |
5.4.3 第二次流水背面加工情况步骤 | 第59-60页 |
5.4.4 第二次流水测试结果及分析 | 第60-62页 |
5.5 问题说明 | 第62-63页 |
5.6 本章小结 | 第63-64页 |
结论 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-68页 |
致谢 | 第68页 |