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新结构低功耗IGBT的研究

中文摘要第4-5页
英文摘要第5页
第1章 绪论第6-11页
    1.1 引言第6-8页
    1.2 本研究的主要内容及意义第8-11页
第2章 IGBT简介第11-19页
    2.1 IGBT概念的提出第11-13页
    2.2 IGBT工作原理第13-15页
    2.3 IGBT器件的特性第15-18页
        2.3.1 IGBT的静态特性第15-16页
        2.3.2 IGBT动态特性第16-18页
    2.4 本章小结第18-19页
第3章 目前已批量生产的两类IGBT第19-31页
    3.1 穿通型IGBT(PT-IGBT)第19-22页
    3.2 非穿通型IGBT(NPT-IGBT)第22-30页
        3.2.1 NPT-IGBT结构及工艺简介第22-26页
        3.2.2 NPT-IGBT和PT-IGBT功耗性能比较第26-30页
    3.3 本章小结第30-31页
第4章 本研究提出的新结构IGBT(LPL-IGBT)第31-38页
    4.1 NPT-IGBT的不足之处第31-32页
    4.2 场中止IGBT(FSIGBT)第32-34页
    4.3 低功耗IGBT(LPL-IGBT)第34-36页
    4.4 本章小结第36-38页
第5章 LPL-IGBT的制造、测试结果及分析第38-64页
    5.1 LPL-IGBT仿真简介第38-42页
    5.2 LPL-IGBT仿真优化第42-46页
    5.3 LPL-IGBT的第一次流水情况介绍及测试结果第46-54页
        5.3.1 LPL-IGBT第一次流水的版图设计第46-50页
        5.3.2 第一次流水的正面结构的工艺流程第50-51页
        5.3.3 第一次流水的测试结果及分析第51-53页
        5.3.4 第一次流水的问题说明第53-54页
    5.4 LPL-IGBT第二次流水情况介绍及测试结果第54-62页
        5.4.1 第二次流水的具体情况介绍第54-56页
        5.4.2 第二次流水正面工艺介绍第56-59页
        5.4.3 第二次流水背面加工情况步骤第59-60页
        5.4.4 第二次流水测试结果及分析第60-62页
    5.5 问题说明第62-63页
    5.6 本章小结第63-64页
结论第64-65页
参考文献第65-68页
致谢第68页

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