| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 专用术语注释表 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 石墨烯、碳纳米管简述 | 第8-16页 |
| 1.1.1 石墨烯、碳纳米管的制备 | 第13-14页 |
| 1.1.2 石墨烯、碳纳米管的物理性质 | 第14-16页 |
| 1.2 石墨烯、碳纳米管的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3 研究石墨烯、碳纳米管器件的目的和意义 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的主要内容和章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 量子输运理论中的非平衡格林函数 | 第20-29页 |
| 2.1 非平衡格林函数的定义 | 第20-21页 |
| 2.2 Dyson 方程和运动方程 | 第21-22页 |
| 2.3 Lengreth 定理 | 第22-23页 |
| 2.4 非平衡态格林函数方法在介观系统输运中的应用 | 第23-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 碳基场效应晶体管的静态电子输运特性 | 第29-46页 |
| 3.1 碳纳米管场效应晶体管量子输运中的非平衡格林函数 | 第29-30页 |
| 3.2 单质栅碳纳米管场效应晶体管的输运特性 | 第30-34页 |
| 3.3 三材料异质栅碳纳米管场效应晶体管的输运特性 | 第34-40页 |
| 3.4 石墨烯场效应管和碳纳米管场效应管电学特性比较 | 第40-45页 |
| 3.4.1 石墨烯场效应管电学特性的计算模型 | 第40-42页 |
| 3.4.2 CNTFET 和 GNRFET 的静态特性对比 | 第42-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 新型结构碳基场效应管的高频电子输运特性 | 第46-67页 |
| 4.1 理论模型与计算方法 | 第46-47页 |
| 4.2 单 HALO 掺杂异质栅碳纳米管场效应管的输运特性 | 第47-59页 |
| 4.2.1 功函数的不同对 SH-HMG-CNTFET 高频特性的影响 | 第55-59页 |
| 4.3 线性掺杂异质栅碳纳米管场效应管的高频输运特性 | 第59-63页 |
| 4.3.1 线性掺杂区的长度对 C-CNTFETs 高频特性的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.2 线性掺杂区的长度对 HMG-CNTFETs 高频特性的影响 | 第62-63页 |
| 4.4 碳基场效应管和硅基场效应管的高频特性研究 | 第63-66页 |
| 4.4.1 CNTFET 和 GNRFET 的高频特性对比 | 第64-65页 |
| 4.4.2 碳纳米管场效应管和硅基场效应管的高频特性对比 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 基于等离子流体模型的超高频特性研究 | 第67-77页 |
| 5.1 等离子体物理模型 | 第67-69页 |
| 5.2 太赫兹辐射理论 | 第69-70页 |
| 5.3 太赫兹探测理论 | 第70-73页 |
| 5.4 计算结果与讨论 | 第73-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
