| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 新型碳基材料结构 | 第9-18页 |
| 1.2.1 石墨烯及石墨烯纳米条带 | 第9-13页 |
| 1.2.2 碳纳米管结构 | 第13-18页 |
| 1.3 石墨烯和碳纳米管的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4 本文的研究意义和主要内容 | 第21-25页 |
| 1.4.1 石墨烯和 CNT 的研究意义 | 第21-22页 |
| 1.4.2 本文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 1.4.3 本论文的创新点 | 第23-25页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第25-37页 |
| 2.1 Landauer-Büttiker 输运理论 | 第25-28页 |
| 2.2 非平衡格林函数理论及计算模型 | 第28-37页 |
| 2.2.1 格林函数的定义 | 第28-30页 |
| 2.2.2 紧束缚哈密顿量的计算 | 第30-31页 |
| 2.2.3 场效应晶体管的 NEGF 计算模型 | 第31-34页 |
| 2.2.4 模型的算法优化 | 第34-37页 |
| 第三章 异质栅结构 CNTFETs 的电学输运特性 | 第37-50页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 线性掺杂-异质栅结构 CNTFETs 的稳态特性 | 第37-44页 |
| 3.2.1 线性掺杂对 CNTFETs 的性能影响 | 第39-41页 |
| 3.2.2 线性掺杂-双栅结构 CNTFETs 的电学特性 | 第41-44页 |
| 3.2.3 小结 | 第44页 |
| 3.3 两种欠栅结构的高频特性对比 | 第44-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 低掺杂漏-异质栅结构 GNRFETs 的电学输运特性 | 第50-64页 |
| 4.1 石墨烯纳米条带的能带结构 | 第50-54页 |
| 4.2 器件结构和计算方法 | 第54-56页 |
| 4.3 模拟结果讨论 | 第56-63页 |
| 4.3.1 LDD-DM 结构的稳态特性 | 第57-59页 |
| 4.3.2 LDD-DM 结构的高频特性 | 第59-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 场效应晶体管的太赫兹模型研究 | 第64-76页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 太赫兹辐射理论 | 第64-67页 |
| 5.3 太赫兹的探测理论 | 第67-70页 |
| 5.3.1 Shur 理论的探测模型 | 第67-69页 |
| 5.3.2 Shur 探测模型的发展 | 第69-70页 |
| 5.4 太赫兹的探测响应的影响因素分析 | 第70-72页 |
| 5.5 CNT 的太赫兹应用探索 | 第72-74页 |
| 5.6 量子力学模型与流体动力学模型的比较 | 第74-75页 |
| 5.7 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-79页 |
| 6.1 结论 | 第76-77页 |
| 6.2 进一步工作方向 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第82-83页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
