| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 碳量子点概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 碳量子点的定义 | 第11-12页 |
| 1.2.2 碳量子点的性质 | 第12-16页 |
| 1.3 碳量子点的制备方法 | 第16-22页 |
| 1.3.1 化学烧蚀石墨烯法 | 第16-17页 |
| 1.3.2 电化学法 | 第17-19页 |
| 1.3.3 微波热解法 | 第19-20页 |
| 1.3.4 激光刻蚀法 | 第20-21页 |
| 1.3.5 模板法 | 第21-22页 |
| 1.4 碳量子点的功能化 | 第22-24页 |
| 1.5 碳量子点的应用 | 第24-30页 |
| 1.5.1 环境监测 | 第24-26页 |
| 1.5.2 光催化 | 第26-27页 |
| 1.5.3 生物成像 | 第27-28页 |
| 1.5.4 光电领域 | 第28-30页 |
| 1.6 四重氢键体系概述 | 第30-31页 |
| 1.7 课题的提出和主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 还原碳量子点的合成及性能研究 | 第33-47页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 实验部分 | 第33-34页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第33-34页 |
| 2.2.2 实验仪器和设备 | 第34页 |
| 2.3 实验方法 | 第34-36页 |
| 2.3.1 碳量子点（g-CNDS）的制备 | 第34-35页 |
| 2.3.2 还原碳量子点（b-CNDS）的制备 | 第35-36页 |
| 2.4 表征手段 | 第36-37页 |
| 2.4.1 场发射透射电子显微镜（TEM）表征 | 第36页 |
| 2.4.2 红外吸收光谱（FT-IR）表征 | 第36页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱（XPS）表征 | 第36页 |
| 2.4.4 X射线衍射（XRD）表征 | 第36页 |
| 2.4.5 拉曼光谱（Raman）表征 | 第36页 |
| 2.4.6 紫外-可见吸收光谱（UV-vis）表征 | 第36-37页 |
| 2.4.7 稳态（PL）、瞬态（TRPL）荧光光谱表征 | 第37页 |
| 2.4.8 荧光产率的计算 | 第37页 |
| 2.5 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 2.5.1 场发射透射电子显微镜表征 | 第37-38页 |
| 2.5.2 红外吸收光谱表征 | 第38-39页 |
| 2.5.3 X射线光电子能谱表征 | 第39-41页 |
| 2.5.4 X射线衍射表征 | 第41页 |
| 2.5.5 拉曼光谱表征 | 第41-42页 |
| 2.5.6 紫外可见吸收光谱表征 | 第42-43页 |
| 2.5.7 稳态（PL、PLE）荧光光谱表征 | 第43-44页 |
| 2.5.8 瞬态（TRPL）荧光光谱表征 | 第44-45页 |
| 2.5.9 荧光产率的计算 | 第45-46页 |
| 2.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 碳量子点组装体的合成及其光伏性能研究 | 第47-63页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 实验部分 | 第47-49页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第47-48页 |
| 3.2.2 实验仪器和设备 | 第48-49页 |
| 3.3 实验方法 | 第49-50页 |
| 3.3.1 Upy的制备 | 第49页 |
| 3.3.2 碳量子点组装体的制备 | 第49-50页 |
| 3.3.3 Assemblies/P3HT和b-CNDS/P3HT复合薄膜光开关的制备 | 第50页 |
| 3.4 表征手段 | 第50-53页 |
| 3.4.1 核磁共振（1H NMR）表征 | 第50页 |
| 3.4.2 场发射透射电子显微镜（TEM）表征 | 第50-51页 |
| 3.4.3 场发射扫描电子显微镜（SEM）表征 | 第51页 |
| 3.4.4 红外吸收光谱（FT-IR）表征 | 第51页 |
| 3.4.5 X射线光电子能谱（XPS）表征 | 第51页 |
| 3.4.6 紫外-可见吸收光谱（UV-vis）表征 | 第51页 |
| 3.4.7 稳态（PL）、瞬态（TRPL）荧光光谱表征 | 第51-52页 |
| 3.4.8 荧光产率的计算 | 第52页 |
| 3.4.9 Assemblies/P3HT和b-CNDS/P3HT复合薄膜光开关的制备 | 第52-53页 |
| 3.5 结果和讨论 | 第53-62页 |
| 3.5.1 核磁共振表征 | 第53-54页 |
| 3.5.2 透射电子显微镜和扫描电子显微镜表征 | 第54-55页 |
| 3.5.3 红外吸收光谱表征 | 第55-56页 |
| 3.5.4 X射线光电子能谱表征 | 第56-57页 |
| 3.5.5 紫外可见吸收光谱表征和稳态荧光光谱表征 | 第57-58页 |
| 3.5.6 瞬态（TRPL）荧光光谱表征 | 第58-59页 |
| 3.5.7 组装体形成机理的分析 | 第59-61页 |
| 3.5.8 Assemblies/P3HT和b-CNDS/P3HT复合薄膜光开关的光电性能研究 | 第61-62页 |
| 3.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 全文总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
