摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第14-36页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第14-15页 |
1.2 一维纳米材料的实验研究 | 第15-22页 |
1.2.1 概述 | 第15-17页 |
1.2.2 一维纳米材料的性能及应用 | 第17-19页 |
1.2.3 一维纳米材料的掺杂和表面修饰 | 第19-22页 |
1.3 一维纳米材料的第一性原理研究 | 第22-27页 |
1.3.1 概述 | 第22页 |
1.3.2 截面尺寸对一维纳米材料的影响 | 第22-24页 |
1.3.3 生长方向对一维纳米材料的影响 | 第24页 |
1.3.4 表面修饰对一维纳米材料的影响 | 第24-26页 |
1.3.5 掺杂对一维纳米材料的影响 | 第26-27页 |
1.4 一维Si_3N_4纳米材料的研究现状 | 第27-34页 |
1.4.1 Si_3N_4晶体的结构 | 第27-29页 |
1.4.2 一维Si_3N_4纳米材料的光电性质 | 第29-32页 |
1.4.3 一维Si_3N_4纳米材料的制备 | 第32-34页 |
1.5 本文的主要研究内容 | 第34-36页 |
第2章 计算原理和计算方法 | 第36-50页 |
2.1 引言 | 第36页 |
2.2 薛定谔方程的基本近似方法 | 第36-39页 |
2.2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第37页 |
2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第37-39页 |
2.3 密度泛函理论(Density Function Theory, DFT) | 第39-46页 |
2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第39-40页 |
2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第40-41页 |
2.3.3 交换关联泛函 | 第41-43页 |
2.3.4 密度泛函理论的数值计算方法 | 第43-45页 |
2.3.5 第一性原理计算的一般过程 | 第45-46页 |
2.4 本文计算软件简介 | 第46-47页 |
2.5 光学性质的理论描述 | 第47-50页 |
第3章 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的稳定性和电子结构 | 第50-74页 |
3.1 引言 | 第50页 |
3.2 计算模型和计算方法 | 第50-57页 |
3.2.1 计算模型 | 第50-54页 |
3.2.2 计算方法 | 第54-57页 |
3.3 计算结果与分析 | 第57-72页 |
3.3.1 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的结构稳定性 | 第57-62页 |
3.3.2 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的热力学形成温度 | 第62-68页 |
3.3.3 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的电子结构 | 第68-72页 |
3.4 本章小结 | 第72-74页 |
第4章 一维 α-Si_3N_4纳米材料的表面修饰和掺杂 | 第74-114页 |
4.1 引言 | 第74-75页 |
4.2 一维 α-Si_3N_4纳米材料的表面修饰 | 第75-101页 |
4.2.1 不同截面尺寸和生长方向下一维纳米材料的表面修饰 | 第75-85页 |
4.2.2 相同截面尺寸不同生长方向下一维纳米材料的表面修饰 | 第85-101页 |
4.3 一维 α-Si_3N_4纳米材料的掺杂 | 第101-112页 |
4.3.1 掺杂一维 α-Si_3N_4纳米材料的结构稳定性 | 第102-103页 |
4.3.2 掺杂一维 α-Si_3N_4纳米材料的电子结构 | 第103-112页 |
4.4 本章小结 | 第112-114页 |
第5章 一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质 | 第114-144页 |
5.1 引言 | 第114-115页 |
5.2 计算参数及可靠性验证 | 第115-117页 |
5.3 计算结果与分析 | 第117-142页 |
5.3.1 不同截面尺寸和生长方向下一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质 | 第117-126页 |
5.3.2 不同表面修饰下一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质 | 第126-135页 |
5.3.3 掺杂一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质 | 第135-142页 |
5.4 本章小结 | 第142-144页 |
结论 | 第144-147页 |
参考文献 | 第147-166页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第166-168页 |
致谢 | 第168-169页 |
个人简历 | 第169页 |