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一维α-Si3N4纳米材料的结构及光学性质的第一性原理研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第1章 绪论第14-36页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第14-15页
    1.2 一维纳米材料的实验研究第15-22页
        1.2.1 概述第15-17页
        1.2.2 一维纳米材料的性能及应用第17-19页
        1.2.3 一维纳米材料的掺杂和表面修饰第19-22页
    1.3 一维纳米材料的第一性原理研究第22-27页
        1.3.1 概述第22页
        1.3.2 截面尺寸对一维纳米材料的影响第22-24页
        1.3.3 生长方向对一维纳米材料的影响第24页
        1.3.4 表面修饰对一维纳米材料的影响第24-26页
        1.3.5 掺杂对一维纳米材料的影响第26-27页
    1.4 一维Si_3N_4纳米材料的研究现状第27-34页
        1.4.1 Si_3N_4晶体的结构第27-29页
        1.4.2 一维Si_3N_4纳米材料的光电性质第29-32页
        1.4.3 一维Si_3N_4纳米材料的制备第32-34页
    1.5 本文的主要研究内容第34-36页
第2章 计算原理和计算方法第36-50页
    2.1 引言第36页
    2.2 薛定谔方程的基本近似方法第36-39页
        2.2.1 Born-Oppenheimer近似第37页
        2.2.2 Hartree-Fock近似第37-39页
    2.3 密度泛函理论(Density Function Theory, DFT)第39-46页
        2.3.1 Hohenberg-Kohn定理第39-40页
        2.3.2 Kohn-Sham方程第40-41页
        2.3.3 交换关联泛函第41-43页
        2.3.4 密度泛函理论的数值计算方法第43-45页
        2.3.5 第一性原理计算的一般过程第45-46页
    2.4 本文计算软件简介第46-47页
    2.5 光学性质的理论描述第47-50页
第3章 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的稳定性和电子结构第50-74页
    3.1 引言第50页
    3.2 计算模型和计算方法第50-57页
        3.2.1 计算模型第50-54页
        3.2.2 计算方法第54-57页
    3.3 计算结果与分析第57-72页
        3.3.1 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的结构稳定性第57-62页
        3.3.2 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的热力学形成温度第62-68页
        3.3.3 纯一维 α-Si_3N_4纳米材料的电子结构第68-72页
    3.4 本章小结第72-74页
第4章 一维 α-Si_3N_4纳米材料的表面修饰和掺杂第74-114页
    4.1 引言第74-75页
    4.2 一维 α-Si_3N_4纳米材料的表面修饰第75-101页
        4.2.1 不同截面尺寸和生长方向下一维纳米材料的表面修饰第75-85页
        4.2.2 相同截面尺寸不同生长方向下一维纳米材料的表面修饰第85-101页
    4.3 一维 α-Si_3N_4纳米材料的掺杂第101-112页
        4.3.1 掺杂一维 α-Si_3N_4纳米材料的结构稳定性第102-103页
        4.3.2 掺杂一维 α-Si_3N_4纳米材料的电子结构第103-112页
    4.4 本章小结第112-114页
第5章 一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质第114-144页
    5.1 引言第114-115页
    5.2 计算参数及可靠性验证第115-117页
    5.3 计算结果与分析第117-142页
        5.3.1 不同截面尺寸和生长方向下一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质第117-126页
        5.3.2 不同表面修饰下一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质第126-135页
        5.3.3 掺杂一维 α-Si_3N_4纳米材料的光学性质第135-142页
    5.4 本章小结第142-144页
结论第144-147页
参考文献第147-166页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第166-168页
致谢第168-169页
个人简历第169页

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