| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第1章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 概述 | 第17-18页 |
| 1.2 课题研究背景 | 第18-20页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第20-25页 |
| 1.4 本课题的研究意义和主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 研究方法与理论基础 | 第27-38页 |
| 2.1 研究方法与关键技术 | 第27-28页 |
| 2.1.1 研究方法 | 第27页 |
| 2.1.2 关键技术 | 第27-28页 |
| 2.2 基于密度泛函理论的第一性原理计算 | 第28-32页 |
| 2.2.1 简介 | 第28-29页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第29-32页 |
| 2.3 无序结构的构建方法 | 第32-35页 |
| 2.3.1 相干势近似 | 第32页 |
| 2.3.2 集团展开法 | 第32-34页 |
| 2.3.3 特殊准随机结构法 | 第34-35页 |
| 2.4 蒙特卡罗（Mote Carlo）热力学模拟 | 第35-36页 |
| 2.5 计算所用软件 | 第36-38页 |
| 2.5.1 VASP | 第36页 |
| 2.5.2 ATAT | 第36-38页 |
| 第3章 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的相分离热力学相图 | 第38-47页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 计算模型及方法简介 | 第39-42页 |
| 3.2.1 特殊准随机结构（SQSs） | 第39-40页 |
| 3.2.2 基于密度泛函理论的第一性原理计算 | 第40-41页 |
| 3.2.3 热力学模型 | 第41-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-46页 |
| 3.3.1 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的结构性质 | 第42-43页 |
| 3.3.2 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的混合焓 | 第43-44页 |
| 3.3.3 CIS-CGS赝二元相图 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 CuInSe_2-CuInS_2赝二元体系的平衡相图 | 第47-56页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 计算模型及方法 | 第48-50页 |
| 4.2.1 集团展开 | 第48-49页 |
| 4.2.2 密度泛函理论计算 | 第49页 |
| 4.2.3 晶格动力学 | 第49-50页 |
| 4.2.4 蒙特卡罗热力学模拟 | 第50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-55页 |
| 4.3.1 有效集团相互作用参数和基态结构 | 第50-53页 |
| 4.3.2 CuInSe_2-CuInS_2赝二元合金相图 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 温度对CuIn_(1-x)Ga_xSe_2、CuIn(Se_(1-x)S_x)_2中In-Ga、Se-S原子分布形态的影响及表征 | 第56-65页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 计算方法及参数 | 第56-57页 |
| 5.3 温度对CuIn_(1-x)Ga_xSe_2中In-Ga原子分布的影响 | 第57-60页 |
| 5.3.1 温度对CuIn_(1-x)Ga_xSe_2中In-Ga原子分布形态的影响 | 第57-58页 |
| 5.3.2 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2中Ga原子分布的非均匀度随温度的变化 | 第58-60页 |
| 5.4 温度对CuIn(Se_(1-x)S_x)_2中Se-S原子分布的影响 | 第60-63页 |
| 5.4.1 温度对CuIn(Se_(1-x)S_x)_2中Se-S原子分布形态的影响 | 第60-61页 |
| 5.4.2 CuIn(Se_(1-x)S_x)_2中Se-S原子分布非均匀度随温度的变化 | 第61-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第6章 Al掺杂CuInSe_2的晶格结构、电子性质和相图 | 第65-71页 |
| 6.1 引言 | 第65页 |
| 6.2 计算模型及方法 | 第65页 |
| 6.3 计算结果与讨论 | 第65-70页 |
| 6.3.1 Al掺杂CuInSe_2的晶格结构 | 第65-67页 |
| 6.3.2 Al掺杂CuInSe_2的电子性质 | 第67-69页 |
| 6.3.3 Al掺杂CuInSe_2的溶混间隙相图 | 第69-70页 |
| 6.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第7章 Cu(Al/Ga/In)Se_2和CuGa(S/Se/Te)_2的广义层错能、解理能、离子性和本征韧脆性质 | 第71-81页 |
| 7.1 引言 | 第71-72页 |
| 7.2 计算模型与方法 | 第72-74页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第74-79页 |
| 7.3.1 CuXSe_2和CuGaY_2的广义层错能 | 第74-76页 |
| 7.3.2 CuXSe_2和CuGaY_2的解理能 | 第76-77页 |
| 7.3.3 CuXSe_2、CuGaY_2的离子性和本征脆性 | 第77-79页 |
| 7.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第8章 压力作用下CuGaSe_2的结构相变与电子结构 | 第81-88页 |
| 8.1 引言 | 第81-82页 |
| 8.2 计算模型与方法 | 第82-83页 |
| 8.3 结果与讨论 | 第83-87页 |
| 8.3.1 CuGaSe_2的结构相变 | 第83-85页 |
| 8.3.2 CuGaSe_2的电子性质 | 第85-87页 |
| 8.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 结论与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 附录A 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第107-110页 |
| 附录B 晶体结构对富勒烯溶剂化物电子性质和光学吸收谱影响的线性标度密度泛函理论研究 | 第110-122页 |
| B.1 研究背景 | 第110-112页 |
| B.2 研究内容 | 第112-120页 |
| B.2.1 C_(60)、PCBM纯晶体及溶剂化物的晶体性质 | 第112-113页 |
| B.2.2 C_(60)、PCBM晶体的内聚能 | 第113-115页 |
| B.2.3 C_(60)、PCBM纯晶体及溶剂化物的电子性质 | 第115-118页 |
| B.2.4 C_(60)、PCBM纯晶体及溶剂化物的光学吸收谱 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
