多忆阻器复合电路及其故障诊断研究
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| 1.1 忆阻器的研究现状 | 第10页 |
| 1.2 忆阻器的突触特性 | 第10-11页 |
| 1.3 工艺变化 | 第11-12页 |
| 1.4 故障诊断 | 第12页 |
| 1.5 论文研究意义 | 第12-13页 |
| 1.6 论文内容安排及结构 | 第13-16页 |
| 第二章 忆阻器物理分析及数学建模 | 第16-22页 |
| 2.1 忆阻器模型物理分析 | 第16-18页 |
| 2.1.1 二氧化钛忆阻器 | 第16-17页 |
| 2.1.2 氧化钨忆阻器 | 第17页 |
| 2.1.3 硫化银忆阻器 | 第17-18页 |
| 2.2 忆阻器数学建模 | 第18-21页 |
| 2.2.1 导电通道的长度作为状态变量 | 第18-20页 |
| 2.2.2 导电通道的面积作为状态变量 | 第20-21页 |
| 2.3 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 忆阻器复合电路分析 | 第22-38页 |
| 3.1 瞬时状态和稳定状态 | 第22-23页 |
| 3.2 忆阻器串联 | 第23-28页 |
| 3.2.1 两个忆阻器串联 | 第23-26页 |
| 3.2.2 多个忆阻器串联 | 第26-28页 |
| 3.3 忆阻器并联 | 第28-32页 |
| 3.3.1 两个忆阻器并联 | 第28-31页 |
| 3.3.2 多个忆阻器并联 | 第31-32页 |
| 3.4 忆阻器混联 | 第32-36页 |
| 3.5 小结 | 第36-38页 |
| 第四章 基于忆阻器复合电路的突触分析 | 第38-50页 |
| 4.1 基于单个忆阻器的突触 | 第38-39页 |
| 4.2 基于两个忆阻器的突触 | 第39-41页 |
| 4.3 忆阻器桥突触 | 第41-44页 |
| 4.3.1 基于四个忆阻器的桥突触 | 第41-42页 |
| 4.3.2 基于五个忆阻器的桥突触 | 第42-44页 |
| 4.4 阻值变化相关时间估算和厚度变化影响分析 | 第44-49页 |
| 4.4.1 忆阻器阻值变化的时间估算 | 第44-47页 |
| 4.4.2 忆阻器厚度变化的影响 | 第47-49页 |
| 4.5 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 忆阻器复合电路的故障诊断 | 第50-62页 |
| 5.1 基于反馈控制的双发生器的设计 | 第50-52页 |
| 5.2 忆阻器复合电路的故障诊断方法 | 第52-54页 |
| 5.2.1 故障诊断的模糊表达 | 第52-53页 |
| 5.2.2 故障诊断的具体方法 | 第53-54页 |
| 5.3 诊断实例 | 第54-60页 |
| 5.3.1 极限忆阻值的诊断 | 第55-58页 |
| 5.3.2 忆阻突触电路的诊断 | 第58-60页 |
| 5.4 小结 | 第60-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 本文主要工作 | 第62-63页 |
| 6.2 下一步工作思路 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读硕士期间已完成和发表的学术论文 | 第72页 |
| 攻读硕士期间参加的科研项目 | 第72页 |
