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SnO2基微纳材料的制备及光催化、气敏性质研究

摘要第8-9页
Abstract第9-10页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 SnO_2基微纳材料概述第12页
    1.3 SnO_2基微纳材料的制备方法与研究进展第12-16页
        1.3.1 SnO_2基微纳材料的制备方法第12-14页
        1.3.2 SnO_2基微纳材料的研究进展第14-16页
    1.4 SnO_2基微纳材料的气敏机理研究及光催化机理研究第16-18页
        1.4.1 SnO_2基微纳材料的气敏机理研究第16-17页
        1.4.2 SnO_2基微纳材料的光催化机理研究第17-18页
    1.5 本论文的研究内容第18-21页
第二章 实验部分第21-27页
    2.1 实验试剂及设备第21-22页
    2.2 实验表征方法第22-27页
        2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)第22-23页
        2.2.2 X射线衍射(XRD)第23页
        2.2.3 透射电子显微镜(TEM)第23页
        2.2.4 拉曼光谱仪(Raman)第23-24页
        2.2.5 比表面积(BET)第24页
        2.2.6 紫外-可见分光光度计(UV-Vis)第24页
        2.2.7 气敏性能测试系统第24-25页
        2.2.8 光催化测试系统第25-27页
第三章 Zn-doped SnO_2纳米片制备及气敏/光催化性能研究第27-45页
    3.1 引言第27-28页
    3.2 实验部分第28-30页
        3.2.1 SnO_2纳米球的制备第28页
        3.2.2 Zn-doped SnO_2纳米片的制备第28-29页
        3.2.3 SnO_2及Zn-doped SnO_2纳米片的表征第29页
        3.2.4 SnO_2及Zn-doped SnO_2纳米片的气敏性能测试第29页
        3.2.5 SnO_2及Zn-doped SnO_2纳米片的光催化性能测试第29-30页
    3.3 结果与讨论第30-43页
        3.3.1 生长温度对SnO_2纳米片的影响第30页
        3.3.2 不同生长时间对SnO_2纳米球的影响第30-31页
        3.3.3 不同锡源对SnO_2纳米球的影响第31页
        3.3.4 不同金属元素掺杂对SnO_2纳米球的影响第31-33页
        3.3.5 掺杂Zn元素对纯相SnO_2纳米球气敏性能、光催化性能的影响第33-43页
    3.4 小结第43-45页
第四章 SnO_2/Fe_2O_3复合结构的制备及光催化性能研究第45-53页
    4.1 引言第45-46页
    4.2 实验部分第46-47页
        4.2.1 以碳布为衬底生长SnO_2材料的制备第46页
        4.2.2 SnO_2/Fe_2O_3复合结构的制备第46-47页
        4.2.3 SnO_2及SnO_2/Fe_2O_3复合材料的表征第47页
        4.2.4 SnO_2及SnO_2/Fe_2O_3复合材料的光催化性能测试第47页
    4.3 结果与讨论第47-50页
        4.3.1 SnO_2/Fe_2O_3复合结构纳米棒的表征第47-49页
        4.3.2 SnO_2/Fe_2O_3复合材料光催化性能的测试第49-50页
        4.3.3 SnO_2/Fe_2O_3复合材料光催化机理分析第50页
    4.4 小结第50-53页
第五章 Zn_2SnO_4微米结构的制备及气敏、光催化性能研究第53-71页
    5.1 引言第53-54页
    5.2 实验部分第54-56页
        5.2.1 Zn_2SnO_4微米结构的制备第54页
        5.2.2 Zn_2SnO_4微米结构的表征第54页
        5.2.3 Zn_2SnO_4微米结构的气敏性能测试第54-55页
        5.2.4 Zn_2SnO_4微米结构的的光催化性能测试第55-56页
    5.3 结果与讨论第56-69页
        5.3.1 Zn_2SnO_4八面体微米结构的表征和性能的测试第56-63页
        5.3.2 Zn_2SnO_4立方体微米结构的表征和性能的测试第63-69页
    5.4 小结第69-71页
第六章 结论与展望第71-73页
    6.1 总结第71-72页
    6.2 展望第72-73页
参考文献第73-81页
致谢第81-83页
附录第83-84页

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