| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 二维材料MOS_2的结构 | 第12-13页 |
| 1.3 二维材料MOS_2制备方法的简介 | 第13-16页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 液相超声法 | 第14页 |
| 1.3.3 锂离子插层法 | 第14-15页 |
| 1.3.4 热分解法 | 第15-16页 |
| 1.3.5 化学气相沉积法 | 第16页 |
| 1.4 二维材料MOS_2的性质及其应用 | 第16-18页 |
| 1.4.1 光学性质 | 第16-17页 |
| 1.4.2 电化学性能 | 第17-18页 |
| 1.4.3 与石墨烯等构成异质结构及复合材料 | 第18页 |
| 1.5 本课题的主要研究内容及论文的组织结构 | 第18-20页 |
| 第2章 二维材料MOS_2的制备与表征方法 | 第20-33页 |
| 2.1 MOS_2薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 | 第20-21页 |
| 2.1.2 微机械剥离法 | 第21-22页 |
| 2.2 MOS_2薄膜的表征 | 第22-33页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第23-25页 |
| 2.2.3 X射线能谱仪 | 第25-26页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪 | 第26-27页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.6 拉曼光谱 | 第28-30页 |
| 2.2.7 光致发光谱 | 第30-33页 |
| 第3章 硫浓度对纳米结构MOS_2形貌的影响 | 第33-41页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 不同形貌MOS_2的制备 | 第33-35页 |
| 3.3 不同形貌MOS_2的表征测试分析与机理讨论 | 第35-40页 |
| 3.3.1 单晶的三角形貌的Mo S_2薄膜 | 第35-38页 |
| 3.3.2 多晶的花瓣形貌的Mo S_2薄膜 | 第38页 |
| 3.3.3 多晶的树杈形貌Mo S_2薄膜 | 第38-39页 |
| 3.3.4 不同形貌Mo S_2薄膜的形成机理 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 二维MOS_2/M_OO_2混合层结构的生长与特性 | 第41-50页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 混合层结构MOS_2/M_OO_2的制备 | 第41-42页 |
| 4.3 混合层结构MOS_2/M_OO_2的表征测试分析 | 第42-48页 |
| 4.3.1 四边形形貌样品的分析 | 第42-45页 |
| 4.3.2 六边形形貌样品的分析 | 第45-48页 |
| 4.4 讨论两种不同形貌的形成机理 | 第48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 MOS_2在不同衬底上的衬度光谱学的研究 | 第50-57页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 理论基础:菲涅耳原理 | 第50-52页 |
| 5.3 MOS_2在不同衬底上的衬度光谱学的研究 | 第52-55页 |
| 5.3.1 Mo S_2在Si O2/Si衬底上的研究结果 | 第52-54页 |
| 5.3.2 Mo S_2在Si衬底上的研究结果 | 第54页 |
| 5.3.3 Mo S_2在Mn Ga/Ga As衬底上的研究结果 | 第54-55页 |
| 5.4 本章总结 | 第55-57页 |
| 第6章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 总结 | 第57页 |
| 6.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
