摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
1 绪论 | 第12-21页 |
1.1 研究背景 | 第12页 |
1.2 纳米材料的特性 | 第12-14页 |
1.3 国内外二氧化硅纳米材料的发展现状 | 第14-19页 |
1.3.1 纳米二氧化硅的性质 | 第14-16页 |
1.3.1.1 基本特性 | 第14-15页 |
1.3.1.2 光学特性 | 第15-16页 |
1.3.1.3 化学特性 | 第16页 |
1.3.2 纳米SiO_2的制备方法 | 第16-18页 |
1.3.3 纳米SiO_2的生长机制 | 第18页 |
1.3.4 纳米SiO_2的应用 | 第18-19页 |
1.4 本论文研究的目的及意义 | 第19页 |
1.5 本论文研究的主要内容 | 第19-21页 |
2 实验设备与测试方法 | 第21-25页 |
2.1 实验设备 | 第21-22页 |
2.1.1 高温管式炉 | 第21页 |
2.1.2 直联旋片式真空泵 | 第21-22页 |
2.1.3 超声波清洗仪 | 第22页 |
2.1.4 水平电子天平秤 | 第22页 |
2.2 实验材料 | 第22-23页 |
2.2.1 实验材料及气体 | 第22页 |
2.2.2 衬底预处理 | 第22-23页 |
2.3 实验表征与测试分析 | 第23-25页 |
2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第23页 |
2.3.2 能谱X-射线分析(EDX) | 第23页 |
2.3.3 透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED) | 第23页 |
2.3.4 X射线衍射谱(XRD) | 第23-24页 |
2.3.5 拉曼光谱(Raman) | 第24页 |
2.3.6 光致发光光谱(PL) | 第24页 |
2.3.7 紫外可见吸收光谱(UV) | 第24-25页 |
3 SiO_2纳米晶体镶嵌在非晶SiO_2纳米线 | 第25-33页 |
3.1 引言 | 第25页 |
3.2 实验部分 | 第25-26页 |
3.2.1 实验材料和测试仪器 | 第25页 |
3.2.2 SiO_2纳米晶体和非晶纳米线的制备 | 第25-26页 |
3.3 实验与结论 | 第26-32页 |
3.3.1 SiO_2纳米晶体和非晶纳米线的结构表征 | 第26-29页 |
3.3.2 SiO_2纳米晶体和非晶纳米线的生长机理 | 第29-30页 |
3.3.3 SiO_2纳米晶体和非晶纳米线的光学性能测试 | 第30-32页 |
3.4 本章总结 | 第32-33页 |
4 热蒸法合成S掺杂的SiO_2微球 | 第33-38页 |
4.1 引言 | 第33页 |
4.2 实验部分 | 第33-34页 |
4.2.1 实验材料和测试设备 | 第33页 |
4.2.2 S掺杂的SiO_2微球的制备 | 第33-34页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第34-37页 |
4.3.1 SiO_2微球的结构表征 | 第34-36页 |
4.3.2 SiO_2微球的生长机理 | 第36-37页 |
4.3.3 SiO_2微球的光学性能测试 | 第37页 |
4.4 本章总结 | 第37-38页 |
5 Si纳米晶嵌入对SiO_2纳米网状发光性能的影响 | 第38-44页 |
5.1 引言 | 第38页 |
5.2 实验部分 | 第38-39页 |
5.2.1 实验材料 | 第38页 |
5.2.2 SiO_2纳米网络结构的制备 | 第38-39页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第39-43页 |
5.3.1 SiO_2纳米网络结构的结构表征 | 第39-41页 |
5.3.2 SiO_2纳米网络结构的生长机理 | 第41页 |
5.3.3 SiO_2纳米网状结构的光学性能测试 | 第41-43页 |
5.4 本章总结 | 第43-44页 |
6 结论及展望 | 第44-46页 |
6.1 结论 | 第44页 |
6.2 展望 | 第44-46页 |
参考文献 | 第46-52页 |
作者攻读硕士学位期间的学术论文目录 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-54页 |