高阻单晶硅太阳电池关键工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 太阳电池简述 | 第11-14页 |
| 1.1.1 世界能源形式 | 第11-12页 |
| 1.1.2 太阳电池发展概况 | 第12-13页 |
| 1.1.3 太阳电池分类 | 第13-14页 |
| 1.2 晶硅电池研究进展 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第15页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第15-17页 |
| 2 单晶硅太阳电池的常规制备工艺及参数测试 | 第17-25页 |
| 2.1 晶硅太阳电池制备流程 | 第17-18页 |
| 2.2 单晶硅太阳电池工作原理 | 第18-19页 |
| 2.3 单晶硅片电阻率测试原理 | 第19-22页 |
| 2.4 太阳电池输出参数的测量 | 第22-25页 |
| 3 单晶太阳电池各制备步骤的工艺条件研究 | 第25-34页 |
| 3.1 清洗与制绒 | 第25-27页 |
| 3.1.1 清洗工艺 | 第25-26页 |
| 3.1.2 制绒工艺 | 第26-27页 |
| 3.2 扩散工艺 | 第27-30页 |
| 3.2.1 扩散工艺原理 | 第27-28页 |
| 3.2.2 扩散工艺及参数对方块电阻的影响 | 第28-30页 |
| 3.3 烧结工艺 | 第30-32页 |
| 3.3.1 烧结工艺条件 | 第30-32页 |
| 3.4 正常工艺实验下效率分析 | 第32-34页 |
| 4 电阻率对单晶硅太阳电池性能的影响 | 第34-41页 |
| 4.1 电池用单晶硅片的电阻率 | 第34-35页 |
| 4.2 单晶硅片电阻率的分布 | 第35-36页 |
| 4.3 电阻率分布情况对单晶硅太阳电池性能的影响 | 第36-40页 |
| 4.3.1 实验步骤 | 第36-37页 |
| 4.3.2 方阻影响分析 | 第37页 |
| 4.3.3 不同电阻率电池的参数测试结果 | 第37-39页 |
| 4.3.4 不同电阻率单晶电池片衰减研究 | 第39-40页 |
| 4.4 高电阻率太阳电池制备的可能 | 第40-41页 |
| 5 不同电阻率太阳电池的制备及输出参数对比 | 第41-51页 |
| 5.1 单晶硅片电阻率的选择 | 第41页 |
| 5.2 电池的制备工艺条件 | 第41-48页 |
| 5.2.1 清洗与制绒工艺 | 第41-42页 |
| 5.2.2 扩散工艺制备 | 第42-46页 |
| 5.2.3 烧结工艺 | 第46-48页 |
| 5.3 不同电阻率单晶电池的输出参数 | 第48-51页 |
| 6 高阻单晶硅太阳电池性能测试 | 第51-57页 |
| 6.1 高阻太阳电池的反射率 | 第51-53页 |
| 6.2 高阻太阳电池结深与表面杂质浓度的测量 | 第53-54页 |
| 6.3 高阻太阳电池的I-V特性曲线 | 第54-57页 |
| 结论与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
