首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工业通用技术与设备论文--薄膜技术论文

DC jetplasma CVD法制备cBN薄膜设备与工艺研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
注释表第10-11页
第一章 绪论第11-23页
   ·BN 的结构与性质第11-14页
     ·BN 的几种同素异构体第11-13页
     ·cBN 的性质第13-14页
   ·cBN 涂层的生长机理及制备方法第14-17页
     ·生长模型第14-16页
     ·立方氮化硼的制备方法第16-17页
   ·cBN 的表征方法第17-20页
     ·傅立叶变换红外谱(FTIR)第18页
     ·激光拉曼光谱(Raman)第18-19页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第19页
     ·掠入射 X 射线衍射(GIXRD)第19-20页
   ·CVD 法制备 cBN 研究现状及存在的主要问题第20-21页
     ·研究现状第20-21页
     ·存在的主要问题第21页
   ·本论文的研究内容第21-23页
第二章 DC jet plasma CVD 制备 cBN 设备研究第23-35页
   ·DC jet plasma CVD 沉积系统研究第23-29页
     ·DC jet plasma CVD 系统原理第23-24页
     ·DC jet plasma CVD 系统组成第24-25页
     ·DC jet plasma CVD 沉积系统改进第25-29页
   ·DC jet plasma CVD 法制备 cBN 引入 BF3的作用第29页
   ·等离子体弧稳定性研究第29-34页
   ·本章小结第34-35页
第三章 DC jet plasma CVD 法制备 cBN 有限元仿真研究第35-48页
   ·反应气体的流体特性第35-36页
   ·流场仿真模型的建立第36-40页
     ·沉积台部分的几何尺寸第36-37页
     ·沉积腔建模第37-39页
     ·沉积腔仿真计算第39-40页
   ·沉积腔仿真结果及分析第40-46页
     ·阳极环与沉积台不同距离仿真结果与分析第40-43页
     ·不同气体配比仿真结果与分析第43-45页
     ·不同沉积台仿真结果与分析第45-46页
   ·本章小结第46-48页
第四章 基于 DC jet plasma CVD 的 cBN 制备工艺研究第48-62页
   ·衬底材料的选择及制备第48-50页
     ·金刚石过渡层的制备及分析第48-50页
   ·制备 cBN 实验过程第50-51页
     ·衬底预处理第50-51页
     ·实验过程第51页
   ·Si 衬底制备 cBN 研究第51-56页
     ·沉积温度对 cBN 制备的影响第51-53页
     ·衬底偏压对 cBN 制备的影响第53-56页
   ·Si/金刚石衬底制备 cBN 研究第56-57页
   ·硬质合金/金刚石衬底制备 cBN 探索研究第57-59页
   ·Mo/金刚石衬底制备 cBN 探索研究第59-60页
   ·本章小结第60-62页
第五章 总结与展望第62-64页
   ·总结第62-63页
   ·展望第63-64页
参考文献第64-68页
致谢第68-69页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第69页

论文共69页,点击 下载论文
上一篇:双面大面积BDD电极制备CVD设备的关键技术研究
下一篇:SCDD膜的生长机理及制备实验研究