| 目录 | 第1-7页 |
| CONTENTS | 第7-9页 |
| 摘要 | 第9-12页 |
| ABSTRACT | 第12-16页 |
| 第一章 前言 | 第16-32页 |
| ·自旋电子学简介 | 第16-17页 |
| ·金刚石量子计算机的发展与挑战 | 第17-21页 |
| ·实现固体量子比特的候选材料 | 第21-26页 |
| ·选题意义及亟待解决的问题 | 第26-27页 |
| ·论文结构 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 理论方法 | 第32-48页 |
| ·从头算方法的基本原理 | 第32-38页 |
| ·密度泛函理论 | 第38-45页 |
| ·常用程序包简介 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 SiC中色心的电子结构 | 第48-60页 |
| ·研究背景 | 第48-49页 |
| ·理论细节 | 第49页 |
| ·SiC晶体中AlsiVc缺陷能否应用于量子比特操控 | 第49-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第四章 SiC晶体中常见色心的结构演化 | 第60-76页 |
| ·研究背景 | 第60-62页 |
| ·理论细节 | 第62-63页 |
| ·SiC晶体中三种可用于实现量子比特的色心的形成及退火行为的理论模拟 | 第63-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第五章 GaN晶体中阳离子空位相关缺陷之间的耦合 | 第76-87页 |
| ·研究背景 | 第76-77页 |
| ·理论细节 | 第77-78页 |
| ·GaN中镓空位的室温顺磁性 | 第78-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第六章 GaN晶体中V_(Ga)O_N色心的电子结构及其在自旋量子比特中的应用 | 第87-98页 |
| ·研究背景 | 第87-88页 |
| ·理论细节 | 第88页 |
| ·GaN晶体中V_(Ga)O_N色心的自旋比特应用 | 第88-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第七章 总结与展望 | 第98-101页 |
| ·主要内容和结论 | 第98-99页 |
| ·本论文的特色和创新 | 第99-100页 |
| ·展望 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 攻读博士学位期间参与的项目 | 第102页 |
| 获奖情况 | 第102-103页 |
| 发表论文 | 第103-105页 |
| 参加的学术会议 | 第105-106页 |
| 附录：外文论文 | 第106-126页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第126页 |
