| 目录 | 第1-6页 |
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-12页 |
| ABSTRACT | 第12-17页 |
| 符号表 | 第17-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-32页 |
| §1-1 人类照明的发展历史 | 第18-19页 |
| §1-2 LED光源的发展历史 | 第19-22页 |
| §1-3 Ⅲ族氮化物材料与器件的发展与现状 | 第22-26页 |
| §1-4 本论文的研究内容与安排 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第32-58页 |
| §2-1 InGaN/GaN多量子阱LED器件的制备 | 第32-42页 |
| 2-1-1 衬底材料的选择 | 第32-36页 |
| 2-1-2 外延生长方法 | 第36-42页 |
| §2-2 半导体材料中常见的光学过程 | 第42-52页 |
| 2-2-1 半导体材料中的光吸收过程 | 第43-50页 |
| 2-2-2 半导体材料中的光发射过程 | 第50-52页 |
| §2-3 样品光学性质的测试 | 第52-56页 |
| 2-3-1 光谱分析的方法 | 第52-53页 |
| 2-3-2 光谱测试的实验配置 | 第53-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第三章 InGaN/GaN多量子阱结构光致发光特性的研究 | 第58-76页 |
| §3-1 样品结构参数及实验配置 | 第58-60页 |
| §3-2 测试结果与分析 | 第60-71页 |
| 3-2-1 样品PL谱特征 | 第60-61页 |
| 3-2-2 PL谱峰位半高宽的激发功率依赖性 | 第61-64页 |
| 3-2-3 PL谱峰位半高宽的温度功率依赖性 | 第64-70页 |
| 3-2-4 内量子效率的激发功率依赖性 | 第70-71页 |
| §3-3 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 利用光致发光和时间分辨光致发光手段研究相分离InGaN/GaN多量子阱结构中载流子的动力学机制 | 第76-86页 |
| §4-1 样品结构参数及实验配置 | 第76-77页 |
| §4-2 测试结果与分析 | 第77-83页 |
| 4-2-1 样品的HRTEM测试 | 第77页 |
| 4-2-2 样品PL谱特征分析 | 第77-78页 |
| 4-2-3 InGaN母体和量子点发光峰强度随温度的变化 | 第78-80页 |
| 4-2-4 InGaN母体和量子点发光峰能量随温度的变化 | 第80-81页 |
| 4-2-5 样品时间分辨测试结果分析 | 第81-83页 |
| §4-3 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第五章 注入电流和温度对InGaN/GaN多量子阱LED电致发光的影响 | 第86-110页 |
| §5-1 样品结构参数及实验配置 | 第86-88页 |
| §5-2 测试结果与分析 | 第88-104页 |
| 5-2-1 I-V曲线测试结果与分析 | 第88-92页 |
| 5-2-2 EL谱随温度的变化 | 第92-94页 |
| 5-2-3 EL谱峰位半高宽随温度的变化 | 第94-95页 |
| 5-2-4 EL谱峰位半高宽随电流强度的变化 | 第95-99页 |
| 5-2-5 EL积分强度随电流强度的变化 | 第99-101页 |
| 5-2-6 EL效率随温度以及电流强度的变化 | 第101-104页 |
| §5-3 本章小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-110页 |
| 第六章 结论 | 第110-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第116-118页 |
| Paper 1 | 第118-128页 |
| Paper 2 | 第128-132页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第132页 |
