| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的研究背景及其历史 | 第10-13页 |
| ·GaN材料的发展 | 第10-11页 |
| ·国内外研究动态 | 第11-13页 |
| ·本文主要研究内容 | 第13-14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 基本理论 | 第15-32页 |
| ·半导体模拟的物理基础 | 第15-23页 |
| ·半导体的形态 | 第15-17页 |
| ·载流子迁移率 | 第17页 |
| ·输运方程 | 第17-18页 |
| ·载流子的复合和产生 | 第18-20页 |
| ·泊松方程 | 第20-21页 |
| ·半导体器件的基本方程 | 第21页 |
| ·非平衡载流子浓度 | 第21-23页 |
| ·HEMT器件的工作原理 | 第23-31页 |
| ·场效应晶体管的分类 | 第23-25页 |
| ·pn型HEMT器件的工作原理 | 第25-26页 |
| ·内建电压 | 第26-27页 |
| ·HEMT的理想直流Ⅰ-Ⅴ特性 | 第27-30页 |
| ·跨导 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 HEMT器件的基本模型 | 第32-48页 |
| ·软件Silvaco | 第32-36页 |
| ·DeckBuild | 第33页 |
| ·TonyPlot可视化工具 | 第33-34页 |
| ·工艺模拟软件ATHENA | 第34-35页 |
| ·仿真器件ATLAS | 第35-36页 |
| ·器件模拟的基本模型 | 第36-41页 |
| ·迁移率模型 | 第36-39页 |
| ·载流子生成-复合模型 | 第39-40页 |
| ·碰撞电离 | 第40页 |
| ·漂移扩散模型 | 第40-41页 |
| ·器件的材料模型 | 第41-46页 |
| ·禁带宽度 | 第42-43页 |
| ·介电常数 | 第43页 |
| ·载流子的有效质量 | 第43-44页 |
| ·有效状态密度 | 第44-45页 |
| ·空间电荷 | 第45页 |
| ·自热效应 | 第45-46页 |
| ·HEMT器件的结构 | 第46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第四章 HEMT器件模型的建立与仿真结果分析 | 第48-60页 |
| ·HEMT器件的极化效应及2DEG | 第48-53页 |
| ·极化效应 | 第48-50页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中的2DEG | 第50-53页 |
| ·HEMT器件模型的构建 | 第53-56页 |
| ·物理模型的设定 | 第53-55页 |
| ·电子以及电势的分布图 | 第55-56页 |
| ·仿真结果与文献实验结果的对比 | 第56-59页 |
| ·转移特性 | 第56-58页 |
| ·输出特性 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65页 |