氧化钒薄膜的制备及特性研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-21页 |
| 1．1 室温红外焦平面阵列技术研究进展 | 第8-16页 |
| 1．1．1 非致冷红外焦平面阵列的原理 | 第9-10页 |
| 1．1．2 各种非致冷红外探测器设计方案比较 | 第10-12页 |
| 1．1．3 基本的热探测机构 | 第12-14页 |
| 1．1．4 测辐射热焦平面阵列 | 第14-15页 |
| 1．1．5 非致冷红外焦平面阵列的开发 | 第15-16页 |
| 1．2 非致冷测热辐射计阵列用敏感材料的电阻变化 | 第16-17页 |
| 1．3 红外焦平面阵列用氧化钒材料的研究进展 | 第17-20页 |
| 1．4 本论文的研究意义与研究目的 | 第20-21页 |
| 第二章 真空蒸发氧化钒薄膜研究 | 第21-32页 |
| 2．1 真空蒸镀工艺 | 第21-23页 |
| 2．2 制备氧化钒薄膜的实验条件选择 | 第23-24页 |
| 2．3 真空热处理工艺 | 第24-25页 |
| 2．4 工艺过程 | 第25-26页 |
| 2．5 实验结果与分析 | 第26-30页 |
| 2．5．1 方阻与电阻率测定 | 第27-28页 |
| 2．5．2 电阻温度系数测定 | 第28-30页 |
| 2．6 XRD分析 | 第30页 |
| 2．7 小结 | 第30-32页 |
| 第三章 磁控溅射氧化钒薄膜的制备工艺原理 | 第32-39页 |
| 3．1 氧化钒薄膜材料的磁控溅射制备 | 第32-36页 |
| 3．1．1 溅射镀膜的基本原理 | 第32-33页 |
| 3．1．2 溅射镀膜的特点 | 第33-34页 |
| 3．1．3 磁控溅射原理 | 第34-36页 |
| 3．2氧化钒薄膜材料热处理 | 第36页 |
| 3．3 正交试验设计 | 第36-37页 |
| 3．3．1 用正交表设计试验方案过程 | 第0-37页 |
| 3．3．2 关于制备VO_x薄膜的正交试验设计 | 第37页 |
| 3．4 实验 | 第37-39页 |
| 第四章 溅射氧化钒薄膜材料的敏感特性研究 | 第39-48页 |
| 4．1 样品电特性测试分析 | 第39-41页 |
| 4．2 数据处理 | 第41-43页 |
| 4．3 结果分析 | 第43页 |
| 4．4 改进实验 | 第43-45页 |
| 4．5 讨论 | 第45-48页 |
| 4．5．1 溅射电压的影响 | 第45-46页 |
| 4．5．2 基片温度的影响 | 第46-47页 |
| 4．5．3 工作气体成分的影响 | 第47-48页 |
| 第五章 氧化钒薄膜材料的XPS分析 | 第48-57页 |
| 5．1 薄膜的XPS分析技术 | 第48-50页 |
| 5．2 电子能谱方法的特点 | 第50-55页 |
| 5．3 XPS能谱分析 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-62页 |
