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悬臂梁MOSFET霍尔磁传感器研究

中文摘要第1-3页
Abstract第3-7页
第1章 绪论第7-20页
   ·磁传感器第7-11页
     ·磁传感器的概念及应用第7页
     ·磁传感器的种类和发展方向第7-11页
   ·霍尔传感器的研究现状与发展趋势第11-19页
     ·矩形霍尔元件第11-12页
     ·双极型霍尔元件第12页
     ·MOS 型霍尔元件第12-13页
     ·CMOS 垂直霍尔元件第13页
     ·结型场效应管霍尔元件第13-19页
   ·主要研究内容第19-20页
第2章 悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的工作原理第20-33页
   ·霍尔元件第20-23页
   ·P 沟道 MOSFET 的工作原理第23-25页
   ·悬臂梁 MOSFET 霍尔磁传感器的结构和工作原理第25-27页
   ·MOSFET 霍尔磁传感器的不等位电势及补偿第27-28页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的电磁特性第28页
     ·V_H-B 关系第28页
     ·V_H-I 关系第28页
   ·MOSFET 霍尔传感器霍尔输出电压的温度特性第28-31页
     ·温度分析第28-29页
     ·温度补偿第29-31页
   ·MOSFET 霍尔传感器霍尔输出电压的灵敏度特性第31-32页
     ·绝对灵敏度第32页
     ·相对灵敏度第32页
   ·本章小结第32-33页
第3章 悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的结构设计第33-43页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的结构第33页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的设计要点第33-35页
     ·霍尔输出极位置第33-34页
     ·霍尔元件长宽比的确定第34-35页
     ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器光刻版图的设计第35页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的工艺模拟第35-39页
     ·IntelliSuite 模拟软件体系介绍第35-37页
     ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的工艺模拟第37-39页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的接口放大电路第39-41页
   ·本章小结第41-43页
第4章 悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的制作工艺第43-57页
   ·研制悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的关键工艺第43-51页
     ·硅片清洗第43页
     ·氧化工艺第43-45页
     ·光刻工艺第45-46页
     ·离子注入工艺第46-48页
     ·低压化学气相淀积工艺第48-49页
     ·感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术第49-51页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的制作工艺流程第51-55页
   ·制作过程中存在的问题第55-56页
   ·本章小结第56-57页
第5章 悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器特性测试第57-68页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的特性测试与讨论第57-58页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的实验结果第58-60页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的静态特性及计算第60-65页
     ·线性度第60-63页
     ·迟滞第63页
     ·重复性第63-64页
     ·灵敏度第64-65页
     ·传感器的综合精度第65页
   ·悬臂梁MOSFET 霍尔磁传感器的温度特性第65-66页
   ·悬臂梁的振动频率与霍尔输出电压的关系第66-67页
   ·本章小结第67-68页
结论第68-70页
参考文献第70-75页
致谢第75-76页

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