| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·热释电红外探测器的工作原理及其对材料的要求 | 第10-13页 |
| ·热释电效应与热释电体 | 第10页 |
| ·热释电探测器原理 | 第10-11页 |
| ·热释电红外探测器对材料性能的要求 | 第11-13页 |
| ·热释电非制冷红外焦平面阵列 | 第13-17页 |
| ·混合式热释电非制冷红外焦平面阵列的发展 | 第13-15页 |
| ·热释电薄膜单片式非制冷红外焦平面阵列的发展 | 第15-17页 |
| ·热释电材料 | 第17-19页 |
| ·热释电红外探测器的应用 | 第19-20页 |
| ·本文研究的主要内容及其意义 | 第20-21页 |
| 2 PLT 热释电薄膜单片式红外敏感元阵列的制备 | 第21-54页 |
| ·热释电薄膜的制备工艺 | 第21-22页 |
| ·Sol-Gel 法制备 PLT 热释电薄膜 | 第22-29页 |
| ·溶胶的制备 | 第22-25页 |
| ·PLT 凝胶的差热分析 | 第25-26页 |
| ·PLT 热释电薄膜微观结构分析 | 第26-27页 |
| ·PLT 热释电薄膜的电性能测试 | 第27-29页 |
| ·PLT 热释电薄膜红外敏感元阵列结构设计与制作工艺 | 第29-33页 |
| ·PLT 热释电薄膜红外敏感元阵列的结构设计 | 第29-32页 |
| ·PLT 热释电薄膜红外探测器的制作工艺 | 第32-33页 |
| ·光刻与刻蚀 | 第33-40页 |
| ·光刻工艺 | 第33-39页 |
| ·刻蚀方法 | 第39-40页 |
| ·上下电极及PLT 薄膜的微图形刻蚀 | 第40-46页 |
| ·Pt/Ti 下电极的刻蚀 | 第40-42页 |
| ·PLT 薄膜的刻蚀 | 第42-45页 |
| ·Ni-Cr 电极及金红外吸收层的刻蚀 | 第45-46页 |
| ·各向异性腐蚀技术制备硅微桥 | 第46-53页 |
| ·SiO_2 的光刻 | 第46-48页 |
| ·硅单晶的各向异性腐蚀 | 第48-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 3 流延法制备PLCT 热释电厚膜及其性能的研究 | 第54-71页 |
| ·热释电厚膜的制备工艺 | 第54-55页 |
| ·流延成型工艺 | 第55-58页 |
| ·流延成型的基本工艺过程 | 第55-56页 |
| ·流延成型中各添加剂的性能 | 第56-58页 |
| ·流延成型中的干燥过程 | 第58页 |
| ·流延法制备PLCT 厚膜 | 第58-62页 |
| ·流延法制备PLCT 厚膜的工艺流程 | 第58-59页 |
| ·PLCT 陶瓷粉体制备 | 第59-60页 |
| ·硅酸乙脂水解液的制备 | 第60-61页 |
| ·增塑剂对素坯性能的影响 | 第61-62页 |
| ·烧结工艺对厚膜性能的影响 | 第62-67页 |
| ·烧结装置 | 第62-63页 |
| ·最佳烧结温度 | 第63-67页 |
| ·PLCT 厚膜的电学性能测试 | 第67-70页 |
| ·PLCT 厚膜的介电性能 | 第68页 |
| ·PLCT 厚膜的热释电性 | 第68-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 4 PLCT 厚膜混合式热释电红外敏感元阵列的制备 | 第71-77页 |
| ·PLCT 厚膜热释电红外敏感元阵列的结构设计 | 第71页 |
| ·PLCT 厚膜热释电红外敏感元阵列的制作工艺流程 | 第71-73页 |
| ·读出信号的测试 | 第73-76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 5 全文总结 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文 | 第83页 |
