| 论文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 碳化硅材料的性质 | 第14-24页 |
| ·SiC 材料的基本性质 | 第14页 |
| ·SiC 材料的晶格结构 | 第14-16页 |
| ·SiC 材料的电学性质 | 第16-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 金属/半导体 Schottky 接触 | 第24-34页 |
| ·Schottky 势垒的形成 | 第24-28页 |
| ·Schottky 势垒中的载流子输运理论 | 第28-31页 |
| ·Schottky 势垒高度的测量 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第四章 肖特基光电二极管的结构、基本原理及工作特性 | 第34-42页 |
| ·光电探测器的分类 | 第34-35页 |
| ·肖特基光电二极管的结构及基本原理 | 第35-37页 |
| ·光电二极管的特性和参数 | 第37-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第五章 版图设计及制版工艺 | 第42-47页 |
| ·版图设计 | 第42-44页 |
| ·制版工艺 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第六章 器件工艺 | 第47-58页 |
| ·器件工艺流程图 | 第47页 |
| ·基于4H-SiC 的Schottky 接触的具体制备工艺 | 第47-57页 |
| ·4H-SiC 片的表面清洗 | 第48页 |
| ·ICP 刻蚀 | 第48-49页 |
| ·氧化 | 第49-50页 |
| ·磁控溅射 | 第50-51页 |
| ·退火 | 第51页 |
| ·光刻 | 第51-55页 |
| ·剥离工艺 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第七章 测试及结论 | 第58-74页 |
| ·肖特基接触金属紫外透过率的测量 | 第58-59页 |
| ·I-V特性 | 第59-63页 |
| ·光电流及暗电流的比较 | 第63-64页 |
| ·C-V特性 | 第64-66页 |
| ·光谱响应特性 | 第66-69页 |
| ·量子效率η | 第69-72页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 附录：论文发表情况 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |