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氧化钒薄膜的掺杂及电阻突变特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 引言第10-26页
   ·研究背景第10页
   ·VO_2 的晶体结构、相变特性及典型性质第10-15页
     ·VO_2 的晶体结构变化第10-12页
       ·VO_2 的晶体结构第10-11页
       ·VO_2 相变过程中晶体结构的变化第11-12页
     ·VO_2 的能带结构变化第12-14页
     ·VO_2 的典型性质第14-15页
       ·VO_2 的光学性质第14-15页
       ·VO_2 的电学性质第15页
       ·其它第15页
   ·二氧化钒的应用前景第15-17页
   ·VO_2 薄膜制备及其电学光学性质突变研究综述第17-19页
   ·VO_2 薄膜主要制备方法简介及其比较第19-22页
     ·真空蒸镀法第19-20页
     ·溅射法第20页
     ·化学气相沉积法(CVD 法)第20-21页
     ·Sol-Gel 法第21-22页
       ·水溶液 Sol-Gel 法第21-22页
       ·醇盐 Sol-Gel 法第22页
   ·掺杂VO_2 的研究进展第22-24页
     ·掺杂对相变的影响第22-23页
     ·掺杂VO_2 的制备方法第23-24页
       ·液相混合掺杂法第23页
       ·水热合成掺杂法第23页
       ·溅射掺杂法第23-24页
       ·金属有机化合物气相沉积掺杂法第24页
   ·研究目的及意义第24-26页
第二章 实验方法第26-32页
   ·薄膜制备过程第26-28页
     ·掺杂氧化钒溶胶的制备第27页
     ·Si 基片的处理第27页
     ·旋涂第27-28页
   ·仪器和试剂第28-29页
     ·仪器第28-29页
     ·主要试剂第29页
   ·二氧化钒薄膜电学性能测试第29-30页
   ·二氧化钒薄膜成分及结构分析第30页
     ·X 射线光电子能谱第30页
       ·X-射线光电子能谱的基本原理第30页
       ·化学位移及结合能第30页
     ·X-射线衍射第30页
   ·小结第30-32页
第三章 掺锆VO_2薄膜的制备及特性研究第32-47页
   ·引言第32页
   ·实验方法第32-33页
   ·实验结果与分析第33-38页
     ·VO_2 相变薄膜的电阻突变特性确定方法第33-34页
     ·Zr(NO_3)_4·5H_20 的掺杂量对VO_2 电学性能的影响(450℃真空退火)第34-38页
   ·掺Zr(NO_3)_4·5H_20(2wt%)VO_2 薄膜的表征第38-40页
     ·掺杂VO_2 薄膜的XRD 分析第38-39页
     ·掺杂VO_2 薄膜的XPS 分析第39-40页
   ·退火温度对VO_2 薄膜相变的影响第40-43页
     ·实验方法第40页
     ·实验结果及分析第40-43页
   ·杂质Zr 元素原子结构及其在VO_2 薄膜中存在形态分析第43-44页
     ·Zr 元素的原子结构第43-44页
     ·杂质在VO_2 薄膜中的存在形态分析第44页
   ·掺杂后VO_2 薄膜的键长理论计算及其对相变温度的影响第44-46页
   ·掺杂后VO_2 薄膜的电阻数量级突变第46页
   ·小结第46-47页
第四章 掺铬VO_2薄膜的制备及特性研究第47-54页
   ·实验方法第47页
   ·实验结果及分析第47-50页
   ·掺杂VO_2 薄膜的XRD 分析第50-51页
   ·杂质Cr 元素原子结构及其在VO_2 薄膜中存在形态分析第51-52页
     ·Cr 元素的原子结构第51-52页
     ·杂质在VO_2 薄膜中的存在形态分析第52页
   ·掺杂后VO_2 薄膜的相变温度的变化第52-53页
   ·掺杂后VO_2 薄膜电阻数量级突变的变化第53页
   ·小结第53-54页
第五章 结论与展望第54-56页
   ·结论第54页
   ·展望第54-56页
参考文献第56-61页
致谢第61-62页
个人简历第62页
攻读硕士学位期间发表的论文第62页

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