摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第一章 引言 | 第10-26页 |
·研究背景 | 第10页 |
·VO_2 的晶体结构、相变特性及典型性质 | 第10-15页 |
·VO_2 的晶体结构变化 | 第10-12页 |
·VO_2 的晶体结构 | 第10-11页 |
·VO_2 相变过程中晶体结构的变化 | 第11-12页 |
·VO_2 的能带结构变化 | 第12-14页 |
·VO_2 的典型性质 | 第14-15页 |
·VO_2 的光学性质 | 第14-15页 |
·VO_2 的电学性质 | 第15页 |
·其它 | 第15页 |
·二氧化钒的应用前景 | 第15-17页 |
·VO_2 薄膜制备及其电学光学性质突变研究综述 | 第17-19页 |
·VO_2 薄膜主要制备方法简介及其比较 | 第19-22页 |
·真空蒸镀法 | 第19-20页 |
·溅射法 | 第20页 |
·化学气相沉积法(CVD 法) | 第20-21页 |
·Sol-Gel 法 | 第21-22页 |
·水溶液 Sol-Gel 法 | 第21-22页 |
·醇盐 Sol-Gel 法 | 第22页 |
·掺杂VO_2 的研究进展 | 第22-24页 |
·掺杂对相变的影响 | 第22-23页 |
·掺杂VO_2 的制备方法 | 第23-24页 |
·液相混合掺杂法 | 第23页 |
·水热合成掺杂法 | 第23页 |
·溅射掺杂法 | 第23-24页 |
·金属有机化合物气相沉积掺杂法 | 第24页 |
·研究目的及意义 | 第24-26页 |
第二章 实验方法 | 第26-32页 |
·薄膜制备过程 | 第26-28页 |
·掺杂氧化钒溶胶的制备 | 第27页 |
·Si 基片的处理 | 第27页 |
·旋涂 | 第27-28页 |
·仪器和试剂 | 第28-29页 |
·仪器 | 第28-29页 |
·主要试剂 | 第29页 |
·二氧化钒薄膜电学性能测试 | 第29-30页 |
·二氧化钒薄膜成分及结构分析 | 第30页 |
·X 射线光电子能谱 | 第30页 |
·X-射线光电子能谱的基本原理 | 第30页 |
·化学位移及结合能 | 第30页 |
·X-射线衍射 | 第30页 |
·小结 | 第30-32页 |
第三章 掺锆VO_2薄膜的制备及特性研究 | 第32-47页 |
·引言 | 第32页 |
·实验方法 | 第32-33页 |
·实验结果与分析 | 第33-38页 |
·VO_2 相变薄膜的电阻突变特性确定方法 | 第33-34页 |
·Zr(NO_3)_4·5H_20 的掺杂量对VO_2 电学性能的影响(450℃真空退火) | 第34-38页 |
·掺Zr(NO_3)_4·5H_20(2wt%)VO_2 薄膜的表征 | 第38-40页 |
·掺杂VO_2 薄膜的XRD 分析 | 第38-39页 |
·掺杂VO_2 薄膜的XPS 分析 | 第39-40页 |
·退火温度对VO_2 薄膜相变的影响 | 第40-43页 |
·实验方法 | 第40页 |
·实验结果及分析 | 第40-43页 |
·杂质Zr 元素原子结构及其在VO_2 薄膜中存在形态分析 | 第43-44页 |
·Zr 元素的原子结构 | 第43-44页 |
·杂质在VO_2 薄膜中的存在形态分析 | 第44页 |
·掺杂后VO_2 薄膜的键长理论计算及其对相变温度的影响 | 第44-46页 |
·掺杂后VO_2 薄膜的电阻数量级突变 | 第46页 |
·小结 | 第46-47页 |
第四章 掺铬VO_2薄膜的制备及特性研究 | 第47-54页 |
·实验方法 | 第47页 |
·实验结果及分析 | 第47-50页 |
·掺杂VO_2 薄膜的XRD 分析 | 第50-51页 |
·杂质Cr 元素原子结构及其在VO_2 薄膜中存在形态分析 | 第51-52页 |
·Cr 元素的原子结构 | 第51-52页 |
·杂质在VO_2 薄膜中的存在形态分析 | 第52页 |
·掺杂后VO_2 薄膜的相变温度的变化 | 第52-53页 |
·掺杂后VO_2 薄膜电阻数量级突变的变化 | 第53页 |
·小结 | 第53-54页 |
第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
·结论 | 第54页 |
·展望 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
个人简历 | 第62页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |