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深亚微米VLSI设计中的信号完整性问题研究

摘要第1-4页
Abstract第4-12页
第一章 引言第12-22页
   ·信号完整性问题的由来及分类第12-13页
   ·串扰噪声第13-16页
     ·定义及分类第13-14页
     ·对电路性能的影响第14-15页
     ·越来越严重的原因及处理思路第15-16页
   ·电压降第16-17页
   ·龙芯2 号处理器在0.18μm 工艺下信号完整性分析第17-19页
   ·研究对象的选择第19-20页
   ·论文的组织第20-22页
第二章 串扰噪声研究现状第22-38页
   ·串扰噪声的模型建立与影响因素第22-25页
     ·Vittal 的集总模型第23-24页
     ·Becer 的4π-模型第24页
     ·影响串扰噪声的因素第24-25页
   ·串扰噪声的分析估算第25-28页
     ·过滤虚假噪声第26页
     ·延迟噪声分析第26-28页
   ·串扰噪声的避免与修复第28-31页
     ·插入缓冲器第28-29页
     ·调整驱动器驱动强度第29页
     ·总线延迟倾斜和编码技术第29-30页
     ·增加CMOS 动态逻辑抗噪性第30-31页
   ·处理串扰噪声问题的设计流程与设计思想第31-35页
     ·一个主流设计流程示意第32-33页
     ·一个使用ALF 库格式的信号完整性处理流程第33-34页
     ·以互连线为中心的设计流程第34-35页
     ·与商业化EDA 工具结合的一个设计流程第35页
   ·小结第35-38页
第三章 PrimeTime SI 和CeltIC第38-54页
   ·PrimeTime SI第38-48页
     ·使用流程第38-39页
     ·运行机制第39-40页
     ·PrimeTime SI 的一些重要参数第40-43页
     ·PrimeTime SI 对于功能噪声的处理第43-48页
   ·CeltIC第48-52页
     ·使用流程第48-49页
     ·延迟噪声分析第49-51页
     ·功能噪声分析第51-52页
   ·小结第52-54页
第四章 0.13μm 工艺下信号完整性相关数据分析第54-72页
   ·连线电容第54-57页
     ·连线对地电容第54-55页
     ·连线间耦合电容第55-57页
   ·与功能噪声相关的数据分析第57-62页
     ·一个实际的电路模型第57-58页
     ·根据4π-模型测得分析结果第58-61页
     ·噪声峰值对各电路参数的敏感度比较第61-62页
   ·延迟噪声的初步估算第62-65页
   ·对噪声免疫性的观察第65-67页
   ·对PrimeTime SI 和CeltIC 分析结果的初步比较第67-68页
   ·不同工艺下的信号完整性分析第68-70页
   ·小结第70-72页
第五章 实现龙芯2 号访存模块信号完整性的设计流程第72-84页
   ·物理实现的一般流程和相应工具第72-74页
   ·串扰噪声的避免第74-77页
     ·综合阶段的避免措施第74-75页
     ·Floorplan 及布局阶段的避免第75-76页
     ·布线阶段的避免措施第76-77页
   ·串扰噪声的分析与修复第77-81页
     ·提取寄生参数第77-78页
     ·PrimeTime SI 分析流程与参数设置第78-80页
     ·CeltIC 的分析流程第80-81页
     ·Astro 中的串扰修复第81页
     ·两种工具结合分析第81页
   ·结论第81-84页
第六章 结束语第84-86页
   ·本文工作总结第84页
   ·下一步研究方向第84-86页
参考文献第86-88页
致谢第88-89页
作者简历第89页

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