摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第1章 绪论 | 第12-24页 |
·课题研究的背景及意义 | 第12-16页 |
·背景 | 第12-15页 |
·意义 | 第15-16页 |
·国内外的研究现状 | 第16-21页 |
·研究内容 | 第21-24页 |
第2章 欧姆接触原理与可靠性数学理论 | 第24-48页 |
·金属-半导体接触原理 | 第24-29页 |
·欧姆接触理论 | 第24-26页 |
·肖特基接触理论 | 第26-27页 |
·欧姆接触材料的选取 | 第27-29页 |
·欧姆接触电阻率的测量 | 第29-36页 |
·TLM法 | 第29-32页 |
·CTLM法 | 第32-36页 |
·可靠性数学理论 | 第36-40页 |
·引言 | 第36-37页 |
·失效因素 | 第37页 |
·阿伦尼斯失效模型 | 第37-39页 |
·数学方法判断寿命分布 | 第39-40页 |
·作图法判断失效分布 | 第40页 |
·参数估计 | 第40-42页 |
·指数分布 | 第41页 |
·正态分布 | 第41-42页 |
·对数正态分布 | 第42页 |
·失效率计算 | 第42-44页 |
·指数分布 | 第43页 |
·正态分布的失效率 | 第43-44页 |
·对数正态分布 | 第44页 |
·寿命的外推 | 第44-45页 |
·本章小结 | 第45-48页 |
第3章 欧姆接触高温测试系统的研究与开发 | 第48-66页 |
·引言 | 第48页 |
·高温测量中的难点 | 第48页 |
·方案一中高温测试装置的设计与搭建 | 第48-54页 |
·测试系统结构 | 第49-50页 |
·测试系统各组成单元 | 第50-54页 |
·测试系统设计方案二 | 第54-58页 |
·设计思路 | 第54页 |
·测试系统平面结构 | 第54-55页 |
·测量平台的设计 | 第55-57页 |
·底层Si片的设计与制作 | 第57页 |
·存在的问题分析 | 第57-58页 |
·高温测试装置的软件开发 | 第58-64页 |
·VB控件介绍 | 第58-59页 |
·串口协议的简单介绍 | 第59-60页 |
·VB实现串口的设计和程序 | 第60-64页 |
·系统搭建测试过程 | 第64-65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
第4章 GaN基欧姆接触高温特性的研究 | 第66-94页 |
·n-GaN 的欧姆接触合金系列 | 第66-68页 |
·p 型 GaN 材料的欧姆接触 | 第68页 |
·研究方案 | 第68-70页 |
·欧姆接触版图设计 | 第70-71页 |
·n-GaN 欧姆接触工艺制备 | 第71-72页 |
·工艺制备流程 | 第71-72页 |
·高温测试所需的样品种类 | 第72页 |
·不同合金金属欧姆接触的高温特性 | 第72-88页 |
·n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的高温特性 | 第72-84页 |
·n-GaN/Ti/Al/Pt/Au与n-GaN/Ti/Au/Pt/Au的比较研究 | 第84-88页 |
·失效率计算 | 第88-91页 |
·失效分布判别 | 第88-89页 |
·参数估计 | 第89-90页 |
·失效率计算 | 第90-91页 |
·激活能计算 | 第91-92页 |
·本章小结 | 第92-94页 |
第5章 大电流密度下欧姆接触退化机理的研究 | 第94-120页 |
·引言 | 第94页 |
·问题的提出 | 第94页 |
·改进的结构及测量方法的提出 | 第94-95页 |
·版图设计 | 第95-99页 |
·欧姆接触尺寸大小的设计 | 第95-97页 |
·版图设计 | 第97-99页 |
·大电流密度欧姆接触样品的工艺实现 | 第99-107页 |
·大电流密度欧姆接触样品工艺制备流程图 | 第99-100页 |
·工艺制备步骤介绍 | 第100-107页 |
·封装 | 第107-109页 |
·大电流欧姆接触样品的测试与讨论 | 第109-111页 |
·电流应力前后的组分分析 | 第111-114页 |
·大电流下LED的测试分析 | 第114-119页 |
·引言 | 第114-115页 |
·温升与热阻的测量原理 | 第115页 |
·瞬态加热响应原理 | 第115-116页 |
·加热响应曲线与温升和热阻构成的关系 | 第116-117页 |
·应用瞬态加热原理对器件封装结构的分析 | 第117-119页 |
·本章小结 | 第119-120页 |
结论 | 第120-122页 |
参考文献 | 第122-132页 |
在读博士学位期间发表的学术论文 | 第132-134页 |
致谢 | 第134-136页 |
附录 | 第136-138页 |