| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-19页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第9-12页 |
| ·SiC MOSFET器件和电路研究进展 | 第12-15页 |
| ·SiC Monte Carlo模拟的国内外发展概况 | 第15-17页 |
| ·本文要解决的主要问题 | 第17-18页 |
| ·研究内容和章节安排 | 第18-19页 |
| 2 SiC MOSFET Monte Carlo模拟的基本原理 | 第19-35页 |
| ·半导体输运过程中Monte Carlo模拟的一般方法 | 第19-22页 |
| ·散射机制 | 第22-27页 |
| ·声学声子散射 | 第22-23页 |
| ·极性光学声子散射 | 第23-24页 |
| ·谷间散射 | 第24-25页 |
| ·带间散射 | 第25页 |
| ·杂质散射 | 第25-27页 |
| ·量子化的电子的散射 | 第27页 |
| ·半导体中载流子迁移的Monte Carlo模拟 | 第27-34页 |
| ·载流子迁移Monte Carlo模拟基础 | 第27-28页 |
| ·单电子器件的Monte Carlo模拟 | 第28-29页 |
| ·Monte Carlo模拟模型 | 第29-31页 |
| ·模拟计算流程 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 SiO_2/SiC界面和界面态对SiC MOS器件迁移率的影响 | 第35-46页 |
| ·MOS系统中的界面/近界面的电荷系统 | 第35-37页 |
| ·界面陷阱电荷 | 第35-36页 |
| ·固定电荷 | 第36页 |
| ·氧化层陷阱电荷 | 第36-37页 |
| ·SiO_2/SiC界面态对SiCMOSFET器件迁移率的影响 | 第37-45页 |
| ·SiCMOSFET器件的物理模型 | 第37-40页 |
| ·SiCMOSFET器件的迁移率模型 | 第40-43页 |
| ·提高SiC MOSFET器件迁移率的措施 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 4H-SiC MOSFET沟道电子迁移率的Monte Carlo模拟 | 第46-65页 |
| ·4H-SiC MOSFET的Monte Carlo模拟及界面电荷散射机制 | 第46-55页 |
| ·以界面电荷散射为主的库仑散射模型 | 第46-50页 |
| ·SiO_2/SiC界面粗糙散射模型 | 第50-53页 |
| ·SiC MOS器件对比样品的制作 | 第53-54页 |
| ·SiC MOSFET沟道电子迁移率的Monte Carlo模拟 | 第54-55页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第55-64页 |
| ·影响沟道迁移率因素的分析 | 第55-61页 |
| ·SiC MOSFET器件性能的提高 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 5 蒙特卡罗模拟分析氮等离子处理机理 | 第65-68页 |
| ·氮等离子体处理对界面态的作用 | 第65-66页 |
| ·氮等离子体处理对界面电荷散射的作用 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
