| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·VDMOS器件的结构与特点 | 第7-9页 |
| ·VDMOS特性曲线及其主要参数 | 第9-11页 |
| ·VDMOS器件的发展 | 第11-12页 |
| ·VDMOS器件与LDMOS器件的比较 | 第12-13页 |
| ·VDMOS管的主要技术特点 | 第13页 |
| ·本论文的研究工作 | 第13-15页 |
| 第二章 VDMOS的导通电阻特性 | 第15-23页 |
| ·VDMOS导电原理分析 | 第15-16页 |
| ·VDMOS导通电阻模型 | 第16-23页 |
| ·沟道电阻R_(ch) | 第17-18页 |
| ·结型场效应管区电阻R_j | 第18页 |
| ·积累层电阻R_(acc) | 第18-19页 |
| ·外延区电阻R_(epi) | 第19-23页 |
| 第三章 VDMOS的射频特性 | 第23-33页 |
| ·VDMOS电容特性研究 | 第23-28页 |
| ·VDMOS电容的构成 | 第23-24页 |
| ·分栅(SG)结构 | 第24-25页 |
| ·虚拟栅(DG)结构 | 第25-26页 |
| ·分栅和虚拟栅的模拟仿真 | 第26-28页 |
| ·跨导特性的研究 | 第28-33页 |
| ·栅氧化层厚度对跨导的影响 | 第30页 |
| ·外延层浓度对跨导的影响 | 第30-33页 |
| 第四章 VDMOS的击穿电压特性 | 第33-45页 |
| ·影响击穿电压的因素 | 第33-37页 |
| ·表面电荷 | 第33-34页 |
| ·衬底掺杂浓度 | 第34-36页 |
| ·结深 | 第36-37页 |
| ·外延层厚度 | 第37页 |
| ·电场限制环结构 | 第37-42页 |
| ·场限环的基本构造 | 第38-39页 |
| ·场限环最佳环间距的确定 | 第39-42页 |
| ·场极板结构 | 第42-45页 |
| 第五章 VDMOS虚拟栅改进结构的引入及其特性研究 | 第45-53页 |
| ·电容 | 第46页 |
| ·击穿电压 | 第46-47页 |
| ·输出特性 | 第47-49页 |
| ·准饱和特性 | 第47-48页 |
| ·准饱和特性的成因 | 第48-49页 |
| ·虚拟栅改进结构的输出特性 | 第49页 |
| ·阈值电压 | 第49-50页 |
| ·工艺研制 | 第50-53页 |
| 第六章 结束语 | 第53-55页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| ·未来的解决计划 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 研究成果 | 第61页 |