MOSFET隧穿漏电流噪声特性及测试方法研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·论文内容 | 第8-9页 |
| 第二章 MOSFET栅漏电流及噪声特性 | 第9-25页 |
| ·栅漏电流成分 | 第9页 |
| ·栅漏电流对器件特性的影响 | 第9-10页 |
| ·隧穿的研究背景 | 第10-11页 |
| ·MOS结构中的隧穿过程 | 第11-12页 |
| ·栅隧穿电流分量及特性 | 第12-15页 |
| ·影响栅隧穿的因素 | 第15-20页 |
| ·沟道隧穿 | 第15-20页 |
| ·源漏交叠区隧穿 | 第20页 |
| ·MOS中的噪声类型 | 第20-23页 |
| ·本征噪声 | 第21-22页 |
| ·非本征噪声 | 第22-23页 |
| ·栅电流噪声特性 | 第23-25页 |
| 第三章 栅隧穿电流及噪声机理与模型 | 第25-41页 |
| ·概述 | 第25页 |
| ·FN隧穿机理与模型 | 第25-26页 |
| ·直接隧穿机理及模型 | 第26-31页 |
| ·陷阱辅助隧穿机理及模型 | 第31-35页 |
| ·基于直接隧穿电流分量的噪声模型 | 第35-36页 |
| ·基于非弹性TAT的解析噪声模型 | 第36-41页 |
| ·势垒高度涨落模型 | 第37-39页 |
| ·洛仑兹调制散粒噪声模型 | 第39-41页 |
| 第四章 栅漏电流及噪声测试方法研究 | 第41-57页 |
| ·常规测试方法 | 第41-45页 |
| ·直流偏置噪声测试技术 | 第41-43页 |
| ·交流锁相噪声测试技术 | 第43-44页 |
| ·双通道噪声测试技术 | 第44-45页 |
| ·栅漏电流测试原理 | 第45-46页 |
| ·MOSFET栅漏电流测量系统设计 | 第46-49页 |
| ·测试系统组成 | 第46-47页 |
| ·测试方案 | 第47-49页 |
| ·栅电流噪声测量原理 | 第49-50页 |
| ·栅电流噪声测试系统设计 | 第50-51页 |
| ·栅电流噪声测试流程 | 第51-53页 |
| ·栅电流噪声的间接测量方法 | 第53页 |
| ·测试过程中的屏蔽问题 | 第53-57页 |
| ·干扰来源 | 第53-54页 |
| ·干扰抑制方法 | 第54-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| ·论文结论 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 在学期间研究成果 | 第66-67页 |
