摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
主要符号表 | 第17-18页 |
1 绪论 | 第18-38页 |
1.1 低温等离子体应用 | 第18-20页 |
1.2 低温等离子体 | 第20-24页 |
1.2.1 等离子体的描述 | 第21页 |
1.2.2 产生等离子体的方法 | 第21页 |
1.2.3 辉光放电的原理及产生条件 | 第21-24页 |
1.3 射频容性辉光放电等离子体的研究现状及其发展 | 第24-36页 |
1.3.1 等离子体源简介 | 第24-26页 |
1.3.2 射频容性耦合等离子体的性质 | 第26-27页 |
1.3.3 CCP理论与模拟研究进展 | 第27-28页 |
1.3.4 DF-CCP的研究进展 | 第28-32页 |
1.3.5 CCP放电中电子加热机制的研究进展 | 第32-36页 |
1.4 本文的内容和安排 | 第36-38页 |
2 流体模型的建立和数值模拟方法 | 第38-53页 |
2.1 低温等离子体的数值模拟方法 | 第38-39页 |
2.2 低气压射频放电流体模型的建立和数值模拟方法 | 第39-44页 |
2.2.1 流体模型建立的条件 | 第39-40页 |
2.2.2 流体方程组 | 第40-44页 |
2.3 模型的数值求解 | 第44-52页 |
2.3.1 一维磁流体方程组 | 第44-45页 |
2.3.2 初始条件和边界条件 | 第45页 |
2.3.3 模型无量纲化 | 第45-46页 |
2.3.4 有限差分 | 第46-51页 |
2.3.5 计算步骤 | 第51-52页 |
2.4 本章小结 | 第52-53页 |
3 单频CCP中二次电子对等离子体特性影响 | 第53-67页 |
3.1 引言 | 第53页 |
3.2 数值结果与讨论分析 | 第53-65页 |
3.2.1 SEE对电场,电子温度,电离率和电子密度的影响 | 第53-57页 |
3.2.2 SEE对粒子电流密度的影响 | 第57-59页 |
3.2.3 SEE对粒子通量的影响 | 第59-62页 |
3.2.4 SEE对粒子加热和能量损失的影响 | 第62-65页 |
3.3 本章小结 | 第65-67页 |
4 双频CCP中气体压强对等离子体特性的影响 | 第67-83页 |
4.1 引言 | 第67页 |
4.2 数值结果与讨论分析 | 第67-81页 |
4.2.1 气体压强对粒子密度的影响 | 第67-71页 |
4.2.2 气体压强对电离率的影响 | 第71-72页 |
4.2.3 气体压强对离子电流密度和能量密度的影响 | 第72-73页 |
4.2.4 气体压强对电子温度和电场的影响 | 第73-77页 |
4.2.5 气体压强对电子加热和能量损失的影响 | 第77-81页 |
4.3 本章小结 | 第81-83页 |
5 双频CCP中驱动频率对等离子体特性的影响 | 第83-92页 |
5.1 引言 | 第83页 |
5.2 数值结果与讨论分析 | 第83-91页 |
5.2.1 双频对等离子体电子密度,电子温度,电场和电势的影响 | 第84-87页 |
5.2.2 双频对等离子体加热机制和电离率的影响 | 第87-91页 |
5.3 本章小结 | 第91-92页 |
6 结论与展望 | 第92-95页 |
6.1 结论 | 第92-93页 |
6.2 创新点 | 第93页 |
6.3 展望 | 第93-95页 |
参考文献 | 第95-104页 |
附录A 主要参数 | 第104-106页 |
攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第106-107页 |
致谢 | 第107-108页 |
作者简介 | 第108页 |