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低气压射频容性放电中二次电子和气体压强对等离子体特性影响的数值研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
主要符号表第17-18页
1 绪论第18-38页
    1.1 低温等离子体应用第18-20页
    1.2 低温等离子体第20-24页
        1.2.1 等离子体的描述第21页
        1.2.2 产生等离子体的方法第21页
        1.2.3 辉光放电的原理及产生条件第21-24页
    1.3 射频容性辉光放电等离子体的研究现状及其发展第24-36页
        1.3.1 等离子体源简介第24-26页
        1.3.2 射频容性耦合等离子体的性质第26-27页
        1.3.3 CCP理论与模拟研究进展第27-28页
        1.3.4 DF-CCP的研究进展第28-32页
        1.3.5 CCP放电中电子加热机制的研究进展第32-36页
    1.4 本文的内容和安排第36-38页
2 流体模型的建立和数值模拟方法第38-53页
    2.1 低温等离子体的数值模拟方法第38-39页
    2.2 低气压射频放电流体模型的建立和数值模拟方法第39-44页
        2.2.1 流体模型建立的条件第39-40页
        2.2.2 流体方程组第40-44页
    2.3 模型的数值求解第44-52页
        2.3.1 一维磁流体方程组第44-45页
        2.3.2 初始条件和边界条件第45页
        2.3.3 模型无量纲化第45-46页
        2.3.4 有限差分第46-51页
        2.3.5 计算步骤第51-52页
    2.4 本章小结第52-53页
3 单频CCP中二次电子对等离子体特性影响第53-67页
    3.1 引言第53页
    3.2 数值结果与讨论分析第53-65页
        3.2.1 SEE对电场,电子温度,电离率和电子密度的影响第53-57页
        3.2.2 SEE对粒子电流密度的影响第57-59页
        3.2.3 SEE对粒子通量的影响第59-62页
        3.2.4 SEE对粒子加热和能量损失的影响第62-65页
    3.3 本章小结第65-67页
4 双频CCP中气体压强对等离子体特性的影响第67-83页
    4.1 引言第67页
    4.2 数值结果与讨论分析第67-81页
        4.2.1 气体压强对粒子密度的影响第67-71页
        4.2.2 气体压强对电离率的影响第71-72页
        4.2.3 气体压强对离子电流密度和能量密度的影响第72-73页
        4.2.4 气体压强对电子温度和电场的影响第73-77页
        4.2.5 气体压强对电子加热和能量损失的影响第77-81页
    4.3 本章小结第81-83页
5 双频CCP中驱动频率对等离子体特性的影响第83-92页
    5.1 引言第83页
    5.2 数值结果与讨论分析第83-91页
        5.2.1 双频对等离子体电子密度,电子温度,电场和电势的影响第84-87页
        5.2.2 双频对等离子体加热机制和电离率的影响第87-91页
    5.3 本章小结第91-92页
6 结论与展望第92-95页
    6.1 结论第92-93页
    6.2 创新点第93页
    6.3 展望第93-95页
参考文献第95-104页
附录A 主要参数第104-106页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第106-107页
致谢第107-108页
作者简介第108页

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